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* * * * * * * * 电阻的功率标识 电阻的额定功率标称值常用的有1/8、1/4、1/2、1、2、3、5、10、20瓦等 在电路图中常用上图所示符号来表示电阻的标称功率 选用电阻的时候，要留一定的余量，选标称功率比实际消耗的功率大一些的电阻。比如实际负荷1/4瓦，可以选用1/2瓦的电阻，实际负荷3瓦，可以选用5瓦的电阻。 * 放大器的噪声 放大器的噪声模型 放大器内部元件众多，可以将内部噪声源折算成噪声电压源En和电流源In两种形式送入输入端。放大器内部成为一个无噪声的放大器。 * 等效输入噪声模型 对上述模型可以进一步简化，用1个等效输入噪声Eni表示。 ★ 设放大器电压增益为Au 从信号源到放大器输出端的传递函数称为系统增益Kt ★ 系统增益不仅取决于放大器，和信号源内阻也有关。 * 把放大器所有的噪声源折算到信号源（等效输入噪声的常见形式），这些参数可以通过测量或计算出 如果噪声电压和噪声电流相关 噪声系数 噪声系数定义为放大器总的输出噪声功率与源电阻在放大器输出端的噪声功率比。 * 噪声系数是对放大器引起的信噪比恶化程度的度量。好的放大器F→1。即使放大器的输出与输入信噪比尽量接近 对数噪声系数 最佳源电阻 噪声系数不仅取决于噪声电压，还取决于源电阻，噪声系数存在一个最优值R0，此时放大器在源热噪声的基础上噪声增加得最小，此源电阻称为最佳源电阻。 ★ ★ 噪声匹配条件时最小噪声系数与放大器噪声电压及噪声电流的乘积有关，乘积越大，噪声系数也越大。 * 元器件的噪声 晶体三极管的噪声 混合π模型是广泛应用的晶体三极管小信号分析模型，混合π模型参数一般与频率无关。 * 跨导gm：由发射结二极管方程得到，Ic≈Ie rb’e：为简化器件，认为晶体管交流放大倍率β≈β0 肖克莱射极电阻re * 晶体三极管的噪声模型 根据混合π模型，rbb’、Rs、负载电阻Rl是实体电阻，产生的热噪声 基极电流IB和集电极电流IC流经位垒时产生散弹噪声 基极电流IB流经b-e耗尽区产生1/f噪声 * 晶体管的等效输入噪声模型 根据混合π模型，求晶体管等效输入噪声步骤为 计算晶体管的总输出噪声 求出从源到输出端的传输增益 计算两者的比值 输出短路时的噪声电流 * 单位带宽等效输入噪声Δf=1Hz 中频区晶体管的En－In模型 晶体管的噪声与晶体管参数、温度、工作点电流、频率、源电阻等有关 选择低噪声晶体管原则是rbb’小，β值大 ★ 令源电阻为0，则输入噪声就是En ★ * 选择晶体管的原则 源电阻较小时，En占优势，希望选择基极电阻低、工作在大集电极电流上的晶体管 源电阻较大，In占优势，应该选择漏电流小，β值大的晶体管，减少基极电流及其引起的散弹噪声 令源电阻为∞，则In ★ * 晶体三极管最佳噪声参数 源电阻Rs≈ En/In，放大器有最佳噪声系数。 ★ * ★ 最佳电阻 可见： 最佳源电阻R0与晶体管工作状态，即集电极电流有关 当源电阻Rs一定时，可以调节集电极电流设置合适工作点，使源电阻与最佳源电阻一直，使噪声系数最小。 * 晶体管工作状态对噪声影响 晶体管等效输入噪声Eni不仅与集电极电流有关，还与源电阻有关，把集电极电流固定得到噪声系数与源电阻的关系曲线，曲线最小值的点是噪声匹配点 由于不同源电阻下的最小噪声是不同的，同时根据源电阻和集电极电流选择噪声系数有一定的困难 * 噪声系数等值线：每个曲线图代表一种频率下的数据，根据曲线选择某频率下器件的最小噪声系数工作点，再以此为标准来选择实际的源电阻和集电极电流。 * 场效应管（FET）的噪声 与BIT相比，JFET具有高输入阻抗和小噪声系数的特点，常用于低噪声放大器的前置。共源FET的等效电路中 * 其中 FET的基本噪声 沟道热噪声：由于FET沟道中多数载流子随机运动产生，等效热噪声电流 栅极散弹噪声：由FET g-s极PN结位垒产生 * 对于FET，沟道噪声和散弹噪声属于白噪声，是中频区（几K～几MHz范围内）的主要噪声。 1/f噪声：由于空间电荷层内电荷的产生与复合，使沟道电流产生波动引起的噪声，与BIT的1/f噪声频谱相同 FET噪声模型 ★ * FET的等效输入噪声 ★ * * FET的En—In模型 ★ 低频段（1KHz）：主要噪声是1/f噪声和沟道热噪声 低频段En—In模型 最佳源电阻 噪声系数 最佳噪声系数 * 要减少低频段噪声，必须选择跨导大的FET N沟道JFET的转移特性曲线 中频段（几K～几MHz）：主要是沟道热噪声和