材料电导基本问题与离子电导.ppt

* 2）在外电场存在时，间隙离子的势垒变化 F=qE a E E+F·δ/2 E－F·δ/2 电场力的作用，晶体中间隙离子的势垒不再对称，对于正离子，受电场力作用，F = qE，F与E同方向，因而正离子顺电场方向“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 * 顺电场方向和逆电场方向填隙离子单位时间内跃迁的次数： 单位时间内每一间隙离子沿电场方向的剩余跃迁次数： 每跃迁一次的距离为δ,则载流子沿电场方向的迁移速度V： * 当ΔUkT： （ΔU = qEδ/2） 载流子沿电流方向的迁移率μ: * 一般离子的迁移率为10-13～10-16 m2/ (s·V)。 载流子沿电流方向的迁移率μ: 式中δ为相邻半稳定位置间的距离，等于晶格距离(cm)，γ0为间隙离子的振动频率(s-1)，q为间隙离子的电荷数(C)，k的数值为0.86×10-4(eV／K)；U0为无外电场时间隙离子的势垒(eV) * 三、离子电导率 1．离子电导率: σ = nqμ 本征电导率: Ws称为电导活化能。它包括缺陷形成能和迁移能。 杂质离子电导率： 杂质离子浓度远小于晶格格点数； 杂质离子的活化能小于热缺陷移动的活化能； 离子晶体的电导主要为杂质电导。 杂质导电与本征导电的比较： * 只有一种载流子的电导率： lnσ=σ0 – B / T 以1nσ和1/T为坐标，可绘得一直线，从直线斜率B可求出活化能 W=BK 碱卤晶体的电导率： 多种载流子时的电导率： * 晶体的活化能 本征导电与杂质导电的数据比较 * 2、计算NaCl的电导率，其中T=300K， 课堂练习： 1、晶格常数a=5×10-8 cm，振动频率1012Hz， 势垒0.5eV， 常温300K，求其迁移率。 * 空位每秒可越过势垒的次数为： P1 = ?01 exp(－U1/kBT) 空位每跳一步所必须的时间为： ?1 = （1/?01 ）exp(U1/kBT) ?01为空位邻近原子的振动频率。 U1 ------空位的扩散能 2、空位的电导 U1 * 3．扩散与离子电导 (1)离子扩散机构 离子电导是在电场作用下离子的扩散现象。主要有：(1)空位扩散，(2)间隙扩散；(3)亚晶格间隙扩散。 离子载流子的扩散方式是其迁移的基础。 迁移路线 迁移距离 一般而言，负离子作为骨架，正离子通过空位来迁移。 * Ag+ Ci- Ag+ Cl- Cl- Ag+ Ci- Ag+ Ag+ Ci- Ag+ Cl- Cl- Ag+ Ci- Ag+ Ag+ Ci- Ag+ Cl- Ag+ 1 2 * 能斯脱-爱因斯坦方程: (2)能斯脱—爱因斯坦方程 （扩散系数与电导率） 扩散系数D和离子迁移率μ的关系: B称为离子绝对迁移率。 σ = nqμ和 D＝ D0 exp ( -W/kT ) W为扩散活化能。 * 四、影响离子电导率的因素 1．温度 只有一种载流子的电导率： lnσ = σ0 – B / T 以1nσ和1/T为坐标，可绘得一直线。 固有电导起主要作用。也有可能有电子电导 杂质电导占主要地位 碱卤晶体的电导率： * 2．晶体结构 离子晶体中阳离子电荷对电导的影响 2）晶体结构状态对离子活化能的影响 结构紧密的离子晶体，间隙小，间隙离子迁移困难，即其活化能高，电导率较低。 熔点高的晶体，晶体结合力大，相应活化能也高，电导率就低。 1）离子电荷对活化能的影响 一价正离子尺寸小，电荷少，活化能小，高价正离子，价键强，所以活化能大，故迁移率较低。 * 3．晶格缺陷 具有离子电导的固体物质称为固体电解质。 离子晶体要具有离子电导的特性，两个必须条件： (1)电子载流子的浓度小； (2)离子晶格缺陷浓度大并参与电导。 因此离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键。 晶格缺陷生成： (1)热激励。 (2)不等价固溶掺杂。 (3)离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离，形成非化学计量比化合物。 * （1） 根据传导离子种类： 阳离子导体：银离子、铜离子、钠离子、锂离子、氢离子等； 阴离子导体：氟离子、氧离子。 （2） 按材料的结构：根据晶体中传导离子通道的分布有一维、二维、 三维。 （3） 从材料的应用领域：储能类