材料电子结构与物理性能.pptVIP

①激光产生的必要条件 　 当外界光子与材料发生相互作用时，既有可能发生吸收过程，也有可能产生受激辐射。是否产生激光，要看处于激发态和基态粒子的相对数目，如果激发态中的粒子数较多，则受激辐射占优势，就会产生激光；反之，则是吸收占优势。 入射光子引发受激辐射或被吸收 h? h? h? 引发受激辐射 E2 E1 h? 吸收 E2 E1 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 　 在热平稳状态下，粒子在各能态上的分布服从玻耳兹曼分布，即对于任意两个能态E1和E2组成的系统，当粒子数分别是N1和N2，有： 　 讨论： 　∵E1E2，∴N1N2，即吸收占优势。 　 要使受激辐射占优势，必须增加激发态E2中的粒子数N2，使N2N1，这种情况称为粒子数反转，或分布反转。 产生激光的必要条件： 　 必须在系统中造成分布反转状态，或粒子数反转。 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 三、材料的光电效应 　 物质在受到光照后而引发的某些电性质的变化的现象称为光电效应。　 　 光电效应有光电导效应、光生伏特效应和光电发射效应三种。前两种效应发生在物体内部，统称为内光电效应，它一般发生于半导体中；光电子发射效应产生于物体表面，又称外光电效应，它主要发生于金属中。 光电导效应 半导体在受到光照射时，其电导率发生变化的现象称为光电导效应。 　光电导效应的物理本质： 　 半导体受光照射，内部将激发出新的载流子，称为光生载流子或非平衡载流子，从而使电导率发生变化。 　本征光电导和杂质光电导： 若光子的能量h?大于半导体的禁带宽度Eg，则价电子将被激发至导带，出现附加的电子－空穴对，使电导率增大，此为本征光电导； 若光照仅激发半导体禁带中杂质能级上的电子或空穴而改变其电导率，则为杂质光电导。 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 光生伏特效应 光照射到半导体的p-n结上时，在p-n结的两端会出现电势差，p区为正极，n区为负极。这一电势差可以用高内阻的电压表测量出来，这种效应称为光生伏特效应，简称光伏效应。 － ＋ 自建电场 光生伏特效应的原理： p-n结两侧存在载流子浓度差，导致n区电子向p区扩散，p区空穴向n区扩散，结果在p-n结附近的p区一侧出现了负电荷区，而n区一侧出现了正电荷区，称为空间电荷区。空间电荷的存在形成了一个自建电场，其方向由n区指向p区。 　 自建电场一方面能阻止空穴和电子进一步移动，最终达到平衡状态；另一方面能推动n区空穴和p区电子分别向对方运动。 p n 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 当光照射到p-n结上时，只要光子能量h? Eg，就可以在p区、n区和p-n结区激发出电子－空穴对，打破原有的平衡状态。在p-n结附近区域产生的电子在自建电场作用下将穿过势垒到达n区，并积累起来。同样，p-n结附近区域产生的空穴也以这样的方式到达p区，也积累起来。 　 这样，在n区就积累了较多的负电荷，在p区就积累了较多的正电荷，这相当于在p-n结上加上了正向电压，即由于光照而在p-n结的两端出现了电动势（称为光生电动势）。 h? p n － ＋ 自建电场 I 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 光电发射效应 当金属或半导体受到光照射时，其表面和体内的电子因吸收光子能量而被激发，如果被激发的电子具有足够的能量，足以克服表面势垒而从表面离开，即产生光电发射效应。 光电发射的三个过程： 　 光吸收、电子向界面运动和克服表面势垒向外逸出。 光电发射遵守的规律： 　 式中，W为材料的逸出功；h?为光子能量；umax为光电子逸出材料后具有的最大速率。 　 只有h?≥W，才能产生光电发射，即入射光频率有一下限值(波长有一上限值)，称为红限频率，相应的波长称为红限波长。一个光子与其所能引致的发射光电子数之比，称为量子效率?，一般为0.1～0.2。 第一章　材料的电子结构与物理性能－§1.7 材料的光学性质 三、介电损耗 　 电介质在交变电场作用下，以发热的形式而耗散能量的现象称为介电损耗。 　产生介电损耗的原因： 　 ①电介质中微量杂质而引起的漏导电流； 　 ②极化取向与外加电场由于相位差而产生的极化电流损耗。 　 ②是主要原因。 　影响介电损耗的因素：　　 介电损耗与所加电场的频率f、电场强度E、材料的介电常数? 和损耗因子tan? 等有关。因此，电介质单位体积的功率损耗W： 　　　　　　　　　　W = ??f E2tan?　　（W/m2） 　 式中的tan?为损失角正切，即损耗因子，反映电介质中分子磨擦的强