半导体材料--硅和锗的化学制备-(公开课件).pptVIP

1 第一章 硅和锗的化学制备 1.1 硅和锗的物理化学性质 Si、Ge——元素周期表中第Ⅳ族元素 Si——银白色 Ge——灰色 晶体硬而脆 二者熔体密度比固体密度大，故熔化后会体积收缩(锗收缩5.5％，而硅大约收缩10％) 2 3 4 5 室温下，Si，Ge比较稳定，与空气、水、弱酸、都无反应，但可与强酸、强碱作用。 高温下，化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢等物质反应，生成相应的化合物。 自然界，Si —SiO2和硅酸盐 SiO2特性：坚硬、脆、难熔的无色固体，膨胀系数小，熔点为 1600℃，抗酸（除HF外），用做器皿（半导体工业中）。 GeO2特性：有两种晶型 正方晶系金红石型（熔点1086±5 ℃） 六方晶系石英型（熔点为1116±4 ℃） 1035 ℃ 可互相转化 6 此外，存在非晶态的GeO2。 SiO2和GeO2用H2,C可还原为黑色树脂状的SiO和淡黄色无定型的 GeO （700 ℃时易挥发）。 1、Si和Ge与卤素或卤化氢反应式 还可制取低价卤化物 7 SiCl4、SiHCl3、SiH4的物理化学特性见表1.2 8 9 4、硅（锗）镁合金与无机酸或卤氨盐作用制硅（锗）烷 3、烷烃化合物 Si(Ge)H2n+2 10 5、SiH4特性： 　　(a) 活性高，空气中自然，固态硅烷与液氧混合在-190℃低温下也 　　易发生爆炸. (b)易与水、酸、碱反