LED的生产工艺流程及设备1.pptVIP

LED的生产工艺流程及设备（一） 黄健全 2007.3 主要内容 LED生产工艺流程； LED衬底材料制作； LED外延制作； Led生产工艺流程 1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2 (3∶1) 溶液煮10min 左右,再用2%HF溶液腐蚀5min 左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。 2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。 3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。 4、接着把温度升至1050℃生长200nm 偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。 5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。 6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。 7、以及在990 ℃生长200nm 的p 型GaN。 Led生产工艺流程 8、生长结束后， 样品置于N2中于760℃进行退火, 9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/ Ni/ Au分别用作p型GaN和n型GaN 的欧姆接触电极。 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED生产工艺流程 LED衬底材料制作 硅的纯化 长晶 切片 晶边磨圆 晶面研磨 晶片蚀刻 退火 晶片抛光 晶片清洗 检验/包装