电子技术应用基础与技能第三章常用放大器.pptVIP

3.2.4 集成功率放大器 二、LM386的主要性能 LM386额定电源电压范围为 ，无作动时仅消耗4mA电流，极适合电池供电，且失真低。LM386内建增益为26dB，在第1引脚和第8引脚之间电容的作用下，增益最高可达46dB。其外形如图所示。 了解场效晶体管的结构、符号、电压放大作用和主要参数； 了解场效晶体管放大器的特点及应用。 图所示是另一种能够进行电信号放大的半导体器件——场效晶体管。场效晶体管仅依靠半导体中的多子实现导电，故又称为单极型晶体管。图中的场效晶体管从外形上来看与三极管非常相似，也有三个引脚：漏极（D）、源极（S）、栅极（G）,分别对应于三极管的集电极（c）、发射极（e）和基极（b）。 与三极管不同是，场效晶体管是利用 电压控制电流大小的放大器件，称为电 压控制器件。 根据结构和工作原理的不同，场效 应管分为结型和绝缘栅型两大类。 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 一、结构与符号 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 二、N沟道增强型场效晶体管特性曲线 场效晶体管的特性同样可以通过转移特性曲线和输出特性曲线来描述，如图所示。 3.3.1 绝缘栅型场效晶体管 三、N沟道耗尽型场效晶体管特性曲线 N沟道耗尽型场效晶体管输出特性曲线也可分为变阻区、恒流区和击穿区。其转移特性曲线和输出特性曲线如图所示。 3.3.2 结型场效晶体管 一、结构和符号 N沟道结型场效晶体管是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。如图所示P区为栅极G (g)，N型硅的一端是漏极D (d)， 另一端是源极 S (s)。 图形符号中箭头方向 表示栅结正偏时栅极 电流的方向。 3.3.2 结型场效晶体管 二、N沟道结型场效晶体管特性曲线 其特性曲线如图所示。 3.3.3 场效晶体管的使用 一、场效晶体管的使用注意事项 (1) 结型场效晶体管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保管，而绝缘栅型场效晶体管在不使用时，需将各电极短路。 (2) 焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。 (3) 结型场效晶体管可用万用表电阻挡定性地检查管子的质量，而绝缘栅型场效晶体管不能用万用表检查，必须用测试仪。 3.3.3 场效晶体管的使用 二、用万用表检测结型场效晶体管 引脚排列 场效晶体管引脚排列位置依其品种、型号及功能不同而异。大功率管子其引脚排列基本是G、D、S。 2. 检测 万用表置于 电阻挡，任选两电极，分别测出它们之间的正、反向电阻。若正、反向电阻值相等，则该两电极为漏极D和原极S，余下的则为栅极。 3.3.4 场效晶体管放大电路 一、自偏压放大电路 自偏压共源放大电路 电路从栅极输入信号，漏极输出信号，源极是信号输入与输出的公共端。如图所示。 3.3.4 场效晶体管放大电路 二、分压式自偏压放大电路 分压式自偏压放大电路 分压式放大电路是在自偏压电路的基础上加分压电阻后组成的。如图所示。 理解反馈的概念，了解负反馈应用于放大器中的类型； 了解集成运放电路结构及抑制零点漂移的方法，理解差模与共模、共模抑制比的概念； 掌握集成运放的符号及器件的引脚功能； 了解集成运放的主要参数、理想集成运放的特点； 能识读由理想集成运放构成的常用电路（反相输入、同相输入、差分输入运放电路和加法、减法运算电路），会估算输出电压值； 了解集成运放的使用常识，会根据要求正确选用元器件； 会安装和使用集成运放组成的应用电路。 3.1.1放大器中的负反馈 反馈放大器的一般形式 反馈系数 开环放大倍数 闭环放大倍数 一、反馈放大器的组成 反馈放大器的一般形式如图所示。 3.1.1 放大器中的负反馈 二、反馈类型 1. 直流反馈和交流反馈 根据反馈量是直流量还是交流量，可将反馈分为直流反馈和交流反馈。 若将直流量反馈到输入端，称为直流反馈。直流反馈多用于稳定静态工作点。 若将交流量反馈到输入端，称为交流反馈。交流反馈多用于改善放大器的动态性能。 2. 正反馈和负反馈 根据反馈的效果可以区分反馈的极性。 当输入量不变时，引入反馈后使净输入量增加，放大倍数增加的反馈称为正反馈。正反馈多用于振荡电路和脉冲电路。 当输入量不变时，引入反馈后使净输入量减小，导致电路放大倍数减小的反馈称为负