半导体物理学原理.pptVIP

金在锗中的多能级 金 是1价元素，中性的金有一个价电子。在锗中，金的价电子若电离跃入导带，则成为施主。然而，此价电子被多个共价键束缚，电离能很大，故为“深施主”。另一方面，金比锗少三个电子。锗的整体结构要求每个原子为四价，因此，金有可能接受三个电子，形成EA1、 EA2、EA3三个受主能级。当金接受了一个电子后，成为Au-，再接受一个电子将受到负电中心的排斥作用，难度更大。因而受主能级EA2将更大。 EA3最大，能级最深，非常靠近导带。如图2-10。 含量很少。作用是捕获电子，即电子陷阱。由于它能够消除积累的空间电荷，减少电容，故可提高器件速度。 2.2 III – V 族化合物中的杂质能级 III-V族化合物是两种元素1:1构成的物质。杂质进入后，可以成为间隙或替位式杂质。 当III族杂质和V族杂质掺入III-V族化合物中时，实验中测不到杂质的影响，因为它们没有在禁带中引入能级。 但有些V族元素的取代会产生能级，此能级为等电子能级，效应称之为“等电子杂质效应”： 杂质电子与基质原子的价电子数量相等。替代格点原子后，仍为电中性。但是，原子序数不同导致了原子的“共价半径”和“电负性”不同，即对电子的束缚能力不同于格点原子，能俘获电荷成为带电中心，形成电子陷阱或正电荷陷阱。 该陷阱俘获载流子后，又能俘获相反符号的电荷，形成“束缚激子”。这种束缚激子在间接带隙半导体制成了发光器件中起主要作用。 IV族元素碳、硅、锗等掺入III-V族化合物中，若取代III族元素起施主作用；若取代V族元素起受主作用。总效果是施主还是受主与掺杂条件有关。 例如，硅在砷化镓中引入一个浅的施主能级，即硅起施主作用，向导带提供电子。当硅杂质浓度达到一定程度后，导带电子浓度趋向饱和，杂质的有效浓度反而降低。 总之，硅掺入砷化镓不仅能取代III族的镓起施主作用，而且还能取代V族的砷起受主的作用。其施主能级为Εc-0.002eV，受主能级为ΕV+0.03eV。 2.3缺陷、位错能级 这种缺陷主要有两种表现形式：肖特基缺陷或弗仑克尔缺陷。当原子脱离晶格到达表面时，为肖特基缺陷或空位缺陷；而当原子进入间隙位置时，为弗仑克尔缺陷或间隙缺陷。 1点缺陷 因温度导致了原子的热振动，造成了原子离开原有位置，形成空位，即晶格中出现了缺陷，称之为点缺陷或热缺陷。 空位缺陷的最近邻有四个原子，每个原子有一个不成对的电子，为不饱和的共价键，有接受电子的倾向，表现出受主的作用。反之，间隙缺陷有四个可以失去的价电子，表现为施主。 热缺陷产生的原因 系统的热平衡取决于自由能 ?F= ?U-T?S。而S=klnW，设熵是由组态变化引起。在N个原子的晶体中，有n个空位，则排列方式为W=(N+n)!/N!n!种。 设形成每个空位的能量为u，则n个空位的能级 为?U=nu。计算得到n=Nexp[-u/kT] 因此，产生肖特基缺陷与温度T和能量u有关。是晶体处于热稳定性的基本要求。 另外两种点缺陷为替位原子和色心。 2 位错 最著名的位错是刃位错或称棱位错，从原子排列的状况看如同垂直于滑移面插进了一层原子 Ε点原子一与周围形成了3个共价键。 当原子E失去电子时，相当于施主，变为正电中心； 当原子Ε俘获电子时，相当于受主，变为负电中心。 单纯的位错即使浓度达到105/cm2,它所提供的载流子浓度也只是约1012/cm3，故对半导体的导电性能的影响实际上不大. 当位错密度较高时, 它将对n-型半导体中的施主有补偿作用, 使电子浓度降低（对p-型半导体未发现位错的补偿作用）. 位错在半导体中形成的都是深能级, 起着复合中心的作用，将促进载流子的复合。 1：(100)硅片表面的位错 2：(111)硅片表面的位错 3：(111)硅片表面的位错 在位错周围有(上)和收缩区(下) 压缩区禁带宽度变大，伸张区变小，可用公式： 压缩? V0 作业：P64页 第7,8题。 半导体中电子的平均速度和加速度 电子含时间的波函数为： 电子的平均速度(波包的速度)为： 在能带极值附近的电子速度为： 电子的加速度为： 其中 有效质量的意义 加速度的公式中，外力作用于有效质量而不是惯性质量。其原因是，电子受的总力为外电场力和内部原子的势场力。因此，加速度是内外场作用的综合效果。使用有效质量可以使问题变简单：可以不涉及半导体的内部势场，而又可以从实验测定有效质量。 在k=0附近，内部势场很弱，接近自由电子，有效质量为正。 在布里渊区边界，内部势场对电子的作用很强，大于外场，使有效质量呈现负值。 1.4本征半导体的导电机构 空穴 机构：指产生机理的物质。 本征半导体中本征的含义：本征方程、本征值， 即本来的特征，100%纯的，无外来杂质的，“理想的” 材料本身所特有的 材料如何导电？如何分析？用能带：导带、价带，占