半导体器件电工电子第七章.pptVIP

(1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE ,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0, IC=ICEO , UBE死区电压 称为截止区。 (1-*) ·输出特性三个区域的特点： 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC = ? IB , ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE ?UBE ， ? IB IC，UCE ? 0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB = 0 ， IC=ICEO ?0 (1-*) 例1： ? =50，UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UB = -2V，2V，5V时， 晶体管工作于何种状态？ 解：① UB =-2V时： IB = 0 ， IC = 0 晶体管工工作于截止区 ② UB =2V时： IC最大饱和电流： IC UCE IB UCC RB UB C B E RC U