基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究.docVIP

第 44卷增刊 原 子 能 科 学 技 术 V ol. 44, Suppl. 2010年 9月 Atomic Energy Science and Technology Sep. 2010 收稿日期:2010-06-30;修回日期:2010-08-22 基金项目:北京市科学技术研究院萌芽项目资助 作者简介:郭广水(1982— ,男,河南驻马店人,助理研究员,核技术及应用专业 基于 MCNP 程序的铅屏蔽层对 γ射线 屏蔽性能研究 郭广水 , 曾心苗 , 周 鹏 , 秦培中 , 孟宪芳 , 王 强 (北京市射线应用研究中心,北京 100012 摘要:为了计算不同厚度铅对不同能量 γ射线的屏蔽性能,本工作建立了两种模型,然后使用 MCNP 程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对 低能 γ射线的屏蔽能力强于高能,随着 γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作 计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变 PHYS 卡计算铅的屏蔽性能, 得到的结果与上述结论一致。 关键词:MCNP 程序; γ射线;衰减倍数;铅 中图分类号:TL818.4 文献标志码:A 文章编号:1000-6931(2010 S0-0587-04 Study of Shielding Capability of γ-ray for Pb S