硅基超薄多孔氧化铝膜的制备.docVIP

February[Note] ActaPhys.鄄Chim.Sin.,2008,24(2)：313-316 物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) 313 硅基超薄多孔氧化铝膜的制备 杨昊炜1 摘要： 张 璋2段晓楠1 200433； 2 俞宏坤1,*金庆原2 200433) (1复旦大学材料科学系,上海 复旦大学光科学与工程系,上海 将二次阳极氧化法应用于硅基铝膜的制备,在草酸溶液中得到了厚度可控的硅基超薄多孔氧化铝膜 (PAM),厚度小于100nm.实验中记录了氧化电流随时间的实时变化曲线,发现硅衬底的氧化电流在大幅下降前有一小幅波动.对应于Al/Si界面的氧化过程中,孔洞底部之间的残留铝岛被优先氧化,可将此作为终止铝氧化的标志.扫描电镜(SEM)观察表明,二次氧化提高了孔洞分布的均匀性,使得孔在一定的区域内呈现有序六角分布.这种模板可进一步用于硅基纳米器件和纳米结构的制备.关键词：多孔氧化铝膜;中图分类号：O646 硅基; 超薄;生长机理 FabricationofUltraThinPorousAluminaMembraneon SiliconSubstrate YANGHao?Wei1 ZHANGZhang2 DUANXiao?Nan1 YUHong?Kun1,* 2 JINQing?Yuan2 (1DepartmentofMaterialsScience,Fud