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5038干膜的工艺运用与控制 贴膜需控制的要素: 温度 压力 速度 压辘的状态 基板的状态 贴膜 5038干膜的工艺运用与控制 温度 进板温度: 20 - 50 ℃ 压辘温度: 100 - 125 ℃ 出板温度: O/L 43 - 60 ℃ I / L 63 - 71 ℃ 进、出板温是指距压辘 前、后3“ 位置处板面的 温度。 贴膜 5038干膜的工艺运用与控制 压辘温度太高 压膜折皱、起泡 掩孔能力变弱 产生热聚作用 贴膜 压辘温度太低 附着力变差 填覆性变差 线路锯齿 渗镀 5038干膜的工艺运用与控制 压力 根据所用设备类型而定 手动贴膜机:30 - 60 psi 自动贴膜机:30 - 102 psi 压力过大 = 贴膜折皱、掩孔能力变差 压力过小 = 附着力变差、填覆性变差、 线路锯齿、渗镀 贴膜 5038干膜的工艺运用与控制 速度 会影响干膜的流动性及出板温度 根据所用设备类型而定 手动贴膜机:0.8 - 1.5 m/min 自动贴膜机:1.8 - 3.5 m/min 速度过慢 = 贴膜折皱、掩孔能力变差 速度过快 = 附着力变差、填覆性变差、 线路锯齿、渗镀 贴膜 5038干膜的工艺运用与控制 贴膜 速度对干膜填覆性的影响: L/S=8/10 mils , Depth=6um Speed=1m/min Speed=2.5m/min 5038干膜的工艺运用与控制 压辘的状态 压辘的状态是影响压膜质量的重要因素 应随时注意检查压辘的表观质量 贴膜 膜碎 划痕 凹陷 压辘 5038干膜的工艺运用与控制 压辘的状态 压痕宽度试验可以帮助检查压力在压辘上分布的均匀性。 贴膜 压辘两边位置压力偏小 压力在压辘上分布均匀 压辘中间位置压力偏小 5038干膜的工艺运用与控制 基板的状态 基板的热传质情况 ----影响出板温度 板厚 铜厚 进板温度 贴膜 基板的表面质量 ---- 影响干膜的填覆性与附着力, 且板边粗糙会使板 边留下过多 的膜碎。 氧化物、水迹、油渍、手印 ---- 磨板后控制在1hr内完成, 并规范操作 杂物、碎片、纤维丝 ---- 贴膜前板面过粘尘机 5038干膜的工艺运用与控制 膜下的 碎片 贴膜 5038干膜的工艺运用与控制 作用: 在于通过底片和UV光的照射,使光照射部分产生聚合作用,从而作为后续工步中的抗蚀层或抗镀层。 曝光 5038干膜的工艺运用与控制 光化学反应过程 光启始剂吸收U.V.紫外线光产生自由基; 自由基与反应单体产生聚合作用; 反应单体间不断产生聚合作用; 自由基消耗完后或因反应单体/聚合物的比例而使反应停止。 曝光 5038干膜的工艺运用与控制 曝光 粘结剂聚合物(黑色) 反应单体(红色) 聚合链(红色与蓝色) COOH COOH COOH COOH COOH COOH 粘结剂聚合物(黑色)和反应单体(红色) ---- 曝光前 简单的干膜结构示意图 5038干膜的工艺运用与控制 工作参数: 曝光能量:35-75 mj/cm2 曝光级数:Cu9 - Cu11 (Stouffer 21 Step), 应每4 hrs检查一次。 抽真空度:良好,应辅以同厚度的导气条及人工起气, 必要时还需在底片上开气窗,帮助抽气。 曝光能量和曝光级数的测量均需通过工作底片的透光区。 曝光后停留15 min后才能进行显影。 曝光 5038干膜的工艺运用与控制 底片的控制 线路的质量 线宽/间距 开路、缺口、针孔 短路、突出、虚光 光密度 D. Max ? 3.8 D. Min ? 1.5 重氮片使用600次后其光密度会出现明显衰减。 曝光 5038干膜的工艺运用与控制 底片的控制 保护膜的运用 检查保护膜内杂质、折皱、汽泡等等。 底片的设计 板四周边框不应被曝光,避免产生膜碎。 板内的通孔不应部分遮光,部分不遮光,避免产生膜碎。 底片的清洁状况 底片在使用前应作彻底检查及清洁。 底片应每曝光1-5次清洁一次。 曝光 5038干膜的工艺运用与控制 洁净度的控制 洁净房的清洁程序 洁净房的洁净度要求:10K 级 洁净房的温度要求:20 - 24 ℃ 洁净房的湿度要求:40 - 60 % RH (环境的控制、无尘服的着装,等等) 局部的清洁程序 (曝光框架上、对位台上的灰尘、膜
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