单组元相图与纯晶体的凝固.pptVIP

* 三、晶体长大的机制 1、垂直长大方式（连续长大） 对于理想的粗糙界面，为了 维持晶体在生长过程中界面处于 稳定状态，液相原子将随机地垂 直进入L/S界面，使晶体连续地 垂直界面生长。 晶体的长大方式分为：垂直长大和横向长大 生长方向 L S * 长大速度： D1 — 液体原子在T℃下的扩散系数 D2 — 液体接近Tm时的扩散系数 △Tk — L/S界面前沿的过冷度（动态过冷度） * △Tk △Tk 金属：D1/D2≈1 -△Tk直线↑ 非金属： D1受温度影响很 大， 出现极值。 △Tk↑，驱动力↑，D1↓ * 2、横向长大方式 对于光滑界面结构：为了维持晶体在长大过程中，平面界面结构不至于破坏，需以二维晶核和螺型位错长大机制。 二维晶核长大示意 螺型位错长大机制 * 对于二维晶核长大，首先需要在光滑的二维平面上形核，然后核心横扫长大。 形核是整个过程的控制环节，需一定过冷度。因此，长大速度直接取决于形核速度。 对于螺型位错长大，主要取决于 螺位错数目，它与△Tk成正比。 B — 形核功 △Tk △Tk * 四、晶体长大的形态 晶体长大的形态一方面决定于L/S界面结构，另一方面还受L/S界面前沿液相一侧温度梯度的影响。 1、正、负温度梯度 S L L/S Tm x T℃ S L L/S Tm x T℃ 过冷区 过冷区 正温度梯度 负温度梯度 T(x) T(x) * 2、dT/dx0时晶体生长形态 粗糙界面 L/S界面向前推移，若有偶然的凸出，其前沿△Tk 下降， ↓，其余部分将赶上来，凸出部分消失。界面 将垂直于散热方向平面推移。 光滑界面 光滑界面材料，有严格保持晶体学特征的倾向，由 于密排面能量最低，L/S界面将尽量保持密排面。当密 排面与散热方向不垂直时，将以锯齿状界面向前推移。 * S L L/S Tm x T℃ S L L/S Tm x T℃ T（x) T（x) 粗糙界面 光滑界面 散热 散热 * 3、dT/dx0时的晶体生长形态 在负的温度梯度下，L/S界面一旦有偶然的凸起，其前 沿△Tk↑， ↑，结果形成伸向液体的结晶轴，其上 还可生成二次、三次晶轴。— 树枝晶 晶轴方向随结构而异： f.c.c，b.c.c h.c.p b.c.t * 6.6 凝固动力学及晶粒大小的控制 一、金属凝固动力学 液体金属过冷至Tm以下，经孕育期后，结晶开始，速度逐渐增大，到50﹪时达最大值，然后减缓。 提高过冷度，可以使整个过程加快。如T2、T3曲线左移，加快。 100﹪ →t T1 等温动力学曲线 凝固分数x 0 T1 T2 T3 T2 T3 * 曲线服从“S”型等温动力学规律，可用Johnson-Mehl方程描述： 上式中π/3是假设固相为球形，一般可用形状因子 K代，当考虑到 与时间有关时，Avrami对上式进行了 修改： — 阿弗拉密方程 当 随时间减少时 3≤n≤4 当 随时间增大时 n 4 * 说明： Johnson-Mehl方程不仅适用于金 属等温凝固问题，凡在等温条件 下，以形核 — 长大方式进行的 相变过程都适用。 如：固态相变，再结晶等。 * 二、晶粒大小的控制 在均匀形核时，凝固后的晶粒大小，可由Johnson-Mehl方程导得： Zv — 结晶完毕单位体积中的晶粒数目 1/Zv — 平均每颗晶粒的体积。 由式可见： 、 晶粒细小。同一材料，两者都受控于△T。 * 晶粒大小与过冷度的关系 因此，提高△T， 的增大比 更为剧烈。 在一般凝固条件下，提高△T， 可使晶粒细化。 △T 0 而 * ★ 细化晶粒的途径： ① 提高过冷度。 ② 加入有效形核剂，作为非均匀形核的核心。 ③ 用机械、电磁或超声波振动，使晶核破碎 成多个核心。 ④ 合金化,降低L/S界面能，提高 ,阻碍原 子远程扩散,降低 。 * 3、应用实例 单晶制备： 利用形核需较大过冷度，控制形核（超纯、小过冷度）。 a.尖端形核法 b.直拉法 — (可拉制Ф300mm的大直径单晶） c.区熔法 — （可生产高纯度Ф150mm的小直径单晶） * 直拉法 区熔法 * 直拉单晶照片 * 区熔法单晶生长 * 65、75、81、87、92、2000年硅片发展趋势 * 定向凝固：