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3 差模扼流圈 高性能EMI滤波器为了提高差模噪声的 抑制性能，往往采取差模扼流圈与 CX 电 容组成 L 、 T 、π等滤波电路 。差模扼流 圈与共模扼流圈的最大区别在于差模扼 流圈与负载直接串联，当通过差模扼流 圈的电流过大时，会产生磁饱和现象， 电感量随之下降，下降的速度取决软磁 材料的 B（ H）和μ（ H）特性曲线，所 以磁材的选择尤为重要。差模扼流圈采 用单个绕组结构。 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 121 软磁材料特性 软磁材料主要有铁粉芯 （IRON）、铁镍 50HF） 铁镍钼 （MPP）即钼坡莫合金、铁硅铝 （MS ）、 非晶、超微晶、硅钢等 。铁镍钼 可提供最大的Q值 和最低的磁芯损耗、对温度和对交流磁通变化最 稳定，是制作差模电感、整流滤波电感的最佳材 料，但价格较贵。铁镍 50具有15000Gs 饱和磁通 密度，磁芯损耗比铁粉芯低得多，应用大电流场 合可有效减小电感尺寸。铁硅铝 的能量贮存容量 比铁镍钼 还高，直流偏磁性能和损耗比铁粉芯 好。铁粉芯 的饱和磁通超过10000GS ，直流偏磁 性能较好、价格最低，可供选择的规格多，应用 最普遍。 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 122 4 ＥＭＩ电源滤波器 磁芯中所受的磁场强度为 一般性能电源滤波器 H= 0.4πN 1 I l 奥斯特 l (cm是磁路的平均长度，磁环l =πd ，d （cm）是磁 环的平均直径。产品说明书中提供 N1I 值（安匝数） ，安匝数是直流叠加特性，即施加直流叠加磁场时 ， 当使起始电感L0降至1/2 L0时的直流叠加安匝数值，说 明书中又提供的 AL 值是单匝电感量L/N2。根据这两个 参数可以进行初步估算 。 高性能电源滤波器 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 123 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 124 ＥＭＩ电源滤波器插入损耗 定义： 经典的滤波器理论是以插入衰减 为基础的滤波 器设计方法。 用 转 移 函 数 表 示 一 个 端 口 的 电 压 （ 电 流）和另一端口的电压（或电流 ）之间的关系 ，例如 电压转移函数, 当输出端开路时，定义为 : 电压增益 =V 0(s/ VIN(s 电压衰减 =VIN (s/ V0 (s 但EMI电源滤波器对干扰噪声的抑制能力用插入损耗 I.L（Insertion Loss）来衡量。插入损耗定义为 ，没有 滤波器接入时 ，从噪声源传输到负载的功率 P1和接入 滤波器后，噪声源传输到负载的功率 P2之比，用 dB （分贝）表示。 插入损耗定义 I? L = 10 log V12 / V22 = 20 log (V1 V 2 I ? L = 10 log(P1 / P2 ( 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 125 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 126 滤波器的插入衰耗测量 MIL-STD-220A 或CISPR17出版物4.1 的滤波器标准测量方法 （ 1） . 共模插入损耗的典型测量方法 根据插入损耗的定义，先要测量没有滤波器时，负载50 Ω 上的电压 V1 作为0 dB 的参考电压 。再测量有滤波器后，负载 50 Ω上的电压 V2 ，通过频谱分析仪将20log( V1/V2 随频率变化 的结果显示在屏幕上或通过接口打印出来。注意测量时 ，滤 波器的输入端和输出端是并联的 。目的是取得共模插入损耗 的平均值，同时也减少了测量次数。 G 信号发生器，T10dB 隔离衰减器，S同轴开关，TR可调标准 衰减器，BO 受测滤波器，O接收机，X,Y 成对电缆 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 127 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 128 （ 2）差模插入损耗的测量方法 由于频谱分析仪 （或标准信号发生器 ）输出、输入采用 50 Ω非对地对称结构的同轴电缆，为了测量对地对称的 差模插入损耗，需对频谱分析仪跟踪发生器的输出信号 ( 滤波器的输入信号 进行不对称- 对称变换,对频谱分析仪 输入信号( 滤波器的输出信号 进行对称- 不对称的逆变换. 其他测量步骤同上。 ６　ＥＭＩ滤波器的选择和使用 选择滤波器 时, 应首先 选择适合你所用的滤波电路和 插入损耗性能。 EMI源滤波器 是以工频为导通对象的低 通滤波器，是在不匹配的条件下工作的 ，因为在实际 应用中无法实现匹配 。如滤波器输入端阻抗 R s 电网阻 抗是随着用电量的大小变化的；而滤波器输出端的阻 抗RL 是随电源负载的大小变化的，要想获得理想的抑 制效果， 应 遵 循 下 表 的 连 接 规 律 。理 由 是 显 而 易 见 的，这种连接方式无论从输入端或输出端进入滤波器 的电磁噪声均能在滤波器内获得最大的抑制 。 2005 年9月 北京邮电大学吕英华 129 2005 年9月 北