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-乳源高级中学通用技术- /tyjs 半导体二极管及其基本特性 1．电容效应 二极管除了单向导电性外，还具有电容效应（PN结电容效应），即当其两端电压变化时，其存储的电荷也发生变化，出现充、放电现象。 按产生的原因不同分为势垒电容和扩散电容两种。 （1）势垒电容Cb （2）扩散电容Cd 结电容Cj为两者之和，即Cj= Cb + Cd 正偏时，Cb Cd ，结电容Cj以Cd为主； 反偏时，Cb Cd ，Cj主要由Cd决定。 2．变容二极管 利用二极管的电容效应，可将二极管做成——变容二极管， 符号如图 ●主要用作可变电容（受电压控制） ●必须工作在反偏状态 ●常用于高频电路中的电调谐电路。 1．光敏特性：半导体具有光敏特性，光照越强，受激产生的 　　 电子—空穴对的数量越多。 2、光敏二极管：利用二极管的光敏特性，制成光敏二极管。 光敏二极管又称光电二极管，属于光电子器件。 半导体还具有热敏特性 ●温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV； ●温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 二极管的反向特性受温度的影响较大 温度对二极管的影响是不可避免的，因为温度总是存在于器件中存在且经常变化的。 * 单纯的P型或N型半导体，仅仅是导电能力增强了，因此它还不是电子线路中所需要的半导体器件。若在一块本征半导体上，两边掺入不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成一层很薄的特殊导电层——PN结。 PN结是构成各种半导体器件的基础。 一、PN结及其特性 + + + + - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 空穴扩散方向 电子扩散方向 P N + + + + - - - - + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 空间电荷区 内电场 （一）PN结的形成 1.2半导体二极管及其基本特性 浓度差 多子扩散运动 空间电荷区 内电场 少子漂移运动 动态平衡 一、PN结及其特性 （一）PN结的形成 1.2半导体二极管及其基本特性 PN结的形成的动态演示 （二）PN结的单向导电性 一、PN结及其特性 + + - - + + + + + + - - - - - - 内电场 外电场 + - + + - - + + + + + + - - - - - - P N 1、正向偏置 1.2半导体二极管及其基本特性 （二）PN结的单向导电性 一、PN结及其特性 1、正向偏置 1.2半导体二极管及其基本特性 PN结正向偏置的动态演示 一、PN结及其特性 + + - - + + + + + + - - - - - - P N + + - - + + + + + + - - - - - - 内电场 外电场 + - 2、反向偏置 1.2半导体二极管及其基本特性 （二）PN结的单向导电性 一、PN结及其特性 2、反向偏置 1.2半导体二极管及其基本特性 PN结反向偏置的动态演示 （二）PN结的单向导电性 一、PN结及其特性 （三）PN结的伏安特性 U 0 I I 1.2半导体二极管及其基本特性 二极管是单个PN结构成的器件， 基本特性是单向导电。 二极管的种类 整流二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 变容二极管 隧道二极管 1.2半导体二极管及其基本特性 二、二极管的结构与符号 （b）电路符号 P N 正极 负极 面结型 点触型 平面型 按制作工艺型 （a）结构示意图 1.2半导体二极管及其基本特性 P N N P 二极管单向导电示意图 （a）PN结正偏导通 （a）PN结反偏截止 P N N P 三、二极管的单向导电性 1.2半导体二极管及其基本特性 （一 ）正向特性 四、二极管的伏安特性 I（mA） U（V） 0 Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR) 门限电压： 　　0.5V(硅) 0.1V(锗) 导通压降： VD≈ 0.6~0.8V(硅) VD≈0.1V(锗) 1.2半导体二极管及其基本特性 四、二极管的伏安特性 I（mA） （二 ）反向特性 U（V） 0 Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR) 反向饱和电流Is ≈ 0 nA量级 (硅) μA量级(锗) 1.2半导体二极管及其基本特性 四、二极管的伏安特性 （三 ）反向击穿特性 I（mA） U（V） 0 Is 0.4 0.8 5 15 10 20 U（BR) 雪崩击穿 齐纳击穿 击穿机理 击穿应用 稳压特性制作稳压二极管 击穿现象 反向电