MEMS工艺半导体工艺.ppt

直流溅射 设备：阴极（溅射源）、阳极（硅片），距离3~10cm氩气压强1~10Pa 3~5V直流电压，辉光放电 特点：结构简单，可得到大面积均匀薄膜；放电电流容易随电压和气压变化，速率不易控制 等离子四极溅射 热阴极发射电子，在阴极和阳极间产生等离子体。用电磁线圈产生的磁场可使等离子体在中心轴附近聚焦成等离子柱。靶上加负高压，等离子体中的正离子在电场作用下轰击靶，使源原子溅射到接地的硅片上。 特点：真空度要求低，淀积膜厚度容易控制，金属膜的纯度高。 等离子磁控溅射源示意图 1.溅射膜厚度传感器 2 . 行星盘转动机构 3. 温度检测热偶 4 . 行星盘5 ． 挡板 6 .真空室放气阀 7. 溅射靶（园环形） 8 . 热偶规9. 高真空阀 10. 低真空阀11.机械泵 12. 前置（管道）阀 13.热偶规14. 扩散泵 加热器15.扩散泵 16. 液氮冷阱17. 靶体冷却 水及功率源馈管 18. 离子规19. 环状等离 子体20. 磁力线 21.真空室22. 电源柜 23. 控制柜24. 阳极 高频溅射 在绝缘材料的背面加上一个金属电极，加上高频电压，使绝缘材料中产生位移电流，实现绝缘材料的溅射淀积。 频率：10MHz 特点：不需要热阴极，能在较低的气压和电压下进行溅射，可以溅射多种材料的绝缘介质膜。 磁控溅射 可溅射各种合金和难熔金属； 磁控溅射中衬底可不加热，从阴极表面发