光电子材料第三章光电子材料基础.ppt

* * * （二）、单异质结半导体激光器 由不同半导体材料组成的p-n结称为异质结。异质结又分为同 型异质结（p+-p,n+-n）和异型异质结(p-n)。 1、异质p-n结的形成 异质p-n结的形成过程与同质p-n结的形成类似，仍然涉及电子、空穴的扩散和内建电场的反作用，最后两种作用达到平衡，形成稳定的电子、空穴分布。 接触前异质能级图 接触后平衡态异质p-n结能带图 EF P Ec Ev N P EFp Evp Ecp N EFn Ecn Evn ?Ec ?EV * * * 施加正偏置电压后非平衡态异质p+-n结能带图。 Ec Ev EFn P+ N V+ V- EFp 2、正偏置异质p+-n结的粒子反转与增益 * * * 3、单异质p-n结激光器 实际的单异质p-n结激光器做成三层结构，即p+-p(n)-n或 p-p(n)-n+型。要求中间层的折射率最大，形成波导结构，使激光发射约束在中间层中，提高激光转换效率。中间层厚度较薄，提高激光发射效率。 常见的单异质p-n结激光器为GaAs-GaAs -AlxGa1-xAs或AlyGa1-yAs-AlyGa1-yAs -AlxGa1-xAs结构，掺杂形成p+-p-n(p-p(n)-n+)型单异质结激光器，其能带结构类似p+-n型的能带图，除了耗尽层厚度大一点外。谐振腔两端面与结平面垂直，激光在中间层中振荡、发射。 单异质结激光器比同质结激光器具有更高的效率，低的阈值电流。 * * * （三）、双异质p-n结激光器 双异质结激光器仍为电注入结区，由电子和空穴复合而产生。由于结区是由不同的半导体材料结合而成，使得电子和空穴不再往深处扩散，而在结的交界面反射（因折射率的差异）。于是电子积蓄在狭窄区域内，使电子浓度增高，减小扩散吸收损耗，从而提高了光的增益，降低了阈值电流，有利于实现室温下连续运转。 多层结构双异质结构示意图 * * * （四）、量子阱激光器 同质结激活区厚度为1μm 阈值电流大于30000A/cm2 异质结激活区厚度为0.1～0.4 μm 单异质结约为8000A/cm2； 双异质结约为1600A/cm2 当双异质结厚度进一步减小到1～10nm时，激活区宽度已经与电子的量子波长相当甚至更小，激活区内电子的运动受到强烈约束，导致电子和空穴在导带底和价带顶的能量出现不连续分布，这种陷阱称为量子阱。用量子阱结构制成的半导体激光器称为量子阱激光器。 优点：阈值电流更低（200A/cm2），谱线宽度窄，调制速率高，光束 质量好 * * * （五）、分布反馈（DFB）激光器 一种侧壁被做成周期性光栅波导结构的半导体激光器。根据周期性波导的耦合原理，只要光栅周期是波导中1/2光波长的整数倍，该周期性光栅就会使导波光反馈。因此不需要解理端面来实现光反馈。 优点：阈值电流密度小，频率特性好，可获得单模单频输出，有利于制造集成光路。 * * * 3.5 激光材料制取方法 3.5.1 激光晶体制取方法 3.5.2 半导体激光材料的制取方法 * * * 　A 焰熔法(维尔纳叶法) 　　氢氧燃烧产生的高温使料粉通过火焰加热熔融，熔滴落在籽晶上，使籽晶杆下降进入炉子的较冷部分随即结晶。该法设备简单、不用坩埚，适于生长熔点大于1800℃(可达2500℃)的晶体如红宝石、钇铝石榴石(Y3A15O12)和Y2O3等基质晶体，缺点是晶体内应力大、位错密度高及存在化学不均匀性。 3.5.1 激光晶体制取方法 * * * B 直拉法 　　适于生长共熔化合物单晶，易自动化，能生长非常大的完美单晶，如CaWO4、CaMoO4、红宝石、碱土金属卤化物及石榴石晶体等。 近年来出现的钆钪镓石榴石Gd3Sc2Ga3O12 (简称GSGG)就是用直拉法生长的。采用铱坩埚在含l~3％O2的氮气氛中生长(感应加热)，已生长出直径130mm、长100mm的晶坨，晶体尺寸大、质量高、适于制造高平均输出(1KW)的板条激光器（规格l×10 × 20cm3)，在金属加工方面可与CO2激光器竞争。 * * * 　　 　　作为可买到的商品Nd∶YAG一般都采用直拉法生长，已制出最大直径约10mm、长达150mm的激光棒。还制出直径75mm的非掺YAG晶锭。由于生长时间慢(0.5mm/h)，生长10~15cm长的晶棒，耗时数周，造成高的生产成本。目前正在研制400一1000W的Nd∶YAG板条激光器。 此外，钕含量比YAG高6倍的Nd：LMAO(N