电力电子器件-场效应管.pptVIP

1.4.3 电力场效应晶体管;1. 电力MOSFET的结构和工作原理 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型;特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小 开关速度快，工作频率高 热稳定性优于GTR 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 ;小功率MOS管是横向导电器件。 电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 ; 电力MOSFET的结构（显示图）;2. 电力MOSFET的基本特性 1)???静态特性 转移特性, 曲线的斜率定义为跨导Gfs;2)???动态特性 ;开通过程（开关过程图） 开通延迟时间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段 上升时间tr—— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段 iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定 UGSP的大小和iD的稳态值有关 UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变 ?开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和;??关断过程 关断延迟时间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小的时间段 下降时间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGSUT时沟道消失，iD下降到零为止的时间段 关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和 ;MOSFET的开关速度 MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系 使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度 MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功???越大。;3. 电力MOSFET的主要参数 1)??漏极电压UDS 电力MOSFET电压定额 2)? 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM 电力 MOSFET电流定额 3) 栅源电压UGS 栅源之间的绝缘层很薄， ?UGS?20V将导致绝缘层击穿 4)?极间电容 ??? 极间电容CGS、CGD和CDS ? 厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共 源极输出电容Coss和反向转移电容Crss;Ciss= CGS+ CGD （1-14） Crss= CGD （1-15） Coss= CDS+ CGD （1-16） 输入电容可近似用Ciss代替 这些电容都是非线性的 ????漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功 率决定了电力MOSFET的安全工作区 ????一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题， 这是它的一大优点 ?????实际使用中仍应注意留适当的裕量