MOS场效应管的基本特性.pptVIP

* L和W的变化(续) 通常，先用有源区的mask，在场区外生成一个氮化硅的斑区。然后，再以这个斑区作为implant mask，注入P+区。最后，以这个斑区为掩膜生成氧化区。然而，在氧化过程中，氧气会从斑区的边沿处渗入，造成了氧化区具有鸟嘴形（bird beak）。 Bird beak的形状和大小与氧化工艺中的参数有关，但是有一点是肯定的，器件尺寸，有源区的边沿更动了。器件的宽度不再是版图上所画的Wdrawn，而是W， W = Wdrawn?2?W 式中?W就是bird beak侵入部分，其大小差不多等于氧化区厚度的数量级。当器件尺寸还不是很小时，这个?W影响不大；当器件缩小后，这个?W是可观的，它影响了开启电压。 * L和W的变化(续) 另一方面，那个注入区也有影响。由于P+区是先做好的，后来在高温氧化时，这个P+区中的杂质也扩散了，侵入到管子区域，改变了衬底的浓度Na，影响了开启电压。 同时，扩散电容也增大了，N+区与P+区的击穿电压降低。另外，栅极长度L不等于原先版图上所绘制的Ldrawn，也减小了，如图所示。 Ldrawn是图上绘制的栅极长度。 Lfinal是加工完后的实际栅极长度。Lfinal = Ldrawn?2?Lpoly 图 6.17 * 6.8.1 L和W的变化(续) 尺寸缩小的原因是在蚀刻（etching）过程中，多晶硅（Ploy）被腐