射频化合物半导体技术应用.pptVIP

异质结器件用功能材料的能力 ? “能带工程”设计的异质结构器件： 异质层厚度——nm级及以下 异质界面——单原子层完美过渡 相邻异质层的掺杂浓度差——超过5个数量级 ? 外延生长技术的巨大突破——“功能材料”： 分子束外延（MBE） 金属有机源化学汽相外延（MOCVD、MOVPE） 二元——多元 使用功能材料大大简化异质结构器件的加工复杂性： ☆ 保证了异质结器件设计的可实现性 ☆ 器件纵向尺寸（10 -3?m精度） □ III-V族化合物半导体的禁带宽度Eg与晶格常数a关系图 分子束外延（MBE） MBE生长原理及设备 有机金属源化学汽相淀积（MOCVD） MOCVD系统工作原理 采用改性层（Metamorphic）技术实现基本半导体材料间的异质生长 ? 目的： ? 克服原有衬底材料特性的缺点 ? 避免使用昂贵衬底材料：降低成本 ? 根据器件与IC设计要求实现衬底及外延层的综合利用 ? 实现不匹配晶体之间的单晶层外延 ? 发展中技术： ? Si衬底上外延GaAs、 GaN 、 SiC ? GaAs衬底上外延InP ? 蓝宝石衬底上外延GaN、SiC ? …… III-V高温半导体技术 III-V高温半导体技术发展的动力 ? 对于固态大功率发射源的持续而又急迫需求 固态源优势：小