半导体器件物理_孟庆巨 (3).ppt

第四章集成电路制造工艺 * PPT课件 * PPT课件 * PPT课件 芯片制造过程 * PPT课件 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 基本步骤： 硅片准备、 外延、 氧化、 掺杂、 淀积、 刻蚀、 光刻 * PPT课件 硅片准备 * PPT课件 光刻 （Lithography） 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 光刻的基本原理：利用光敏抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀方法在各种薄膜上生成合乎要求的图形，以实现、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 * PPT课件 光刻工艺流程 * PPT课件 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶（曝光后不可溶） ：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 * PPT课件 插图fig.4.6 正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶 * PPT课件 亮场版和暗场版 * PPT课件