CMOS器件模型分析.pptVIP

0.35um主要参数 讨论 ＭＯＳ管的设计参数有几个，对ＭＯＳ管的性能有何影响？ 如何提高MOS管的性能？ 例题:求完整的NMOS管的小信号模型 Mos管设计考虑 主要公式(掌握) 主要公式(续) 　３.３ 计算机仿真模型 ＳＰＩＣＥ　ＬＥＶＥＬ 1 ＳＰＩＣＥ　ＬＥＶＥＬ 2 ＳＰＩＣＥ　ＬＥＶＥＬ 3 ＢＳＩＭ３Ｖ３（深亚微米）ＬＥＶＥＬ 49 Berkeley Short-Channel IGFET Model 模型参数变化 尺寸缩小考虑因素 短／窄沟道效应 热载流子效应 漏感应势垒降低效应 载流子速度饱和效应 MOS的Spice模型参数 目前许多数模混合计算机仿真软件的内核都是Spice。 　　 计算机仿真(模拟)的精度很大程度上取决于器件模型参数的准确性和算法的科学先进性。了解Spice模型参数的含义对于正确设计集成电路十分重要。 MOS管Spice模型参数 求解过程 　　仿真示例 仿真结果 工艺角 不同晶片不同批次 不同工艺线有经过验证的器件模型 典型条件 四个工艺角（SF，FS，SS，FS） 满足以上条件的电路才是合格的 保证产品的成品率 ３.４亚阈值电压区MOS模型 亚阈值效应又 称为弱反型效应 指数关系 平方关系 VON 亚阈值工作区 衬底没有反型 弱反型 强反型 亚阈值效应 亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系： 其中