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MOS器件物理基础 Chap2 # * 作业及预习 作业： 2.1(NFET) 2.2 2.3 2.5(a) 预习： 单级放大器 3.1 3.2 3.3 MOS器件物理基础 Chap2 # * 例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） tox=50 ?, Cox?6.9fF/μm2(1 ?=10-10 m, 1fF= 10-15 F) ∴tox=90 ?, Cox?6.9*50/90=3.83fF/μm2 同理可求得PMOS的参数如下：gmP ?1.96mA/V ，r0P ?10KΩ ，gmP r0P ?19.6 MOS器件物理基础 Chap2 # * Reference 本课件基于Razavi@ UCLA《模拟CMOS集成电路设计》一书，并参考重邮光电工程学院和华中科技大学邹志革教授课件中的部分内容，在此表示感谢！ 其它有涉及的内容未一一注明。 本课件仅供教学学习之用！ 沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD ? 栅极与沟道之间的局部电压差从Vov变化到Vov-VD，从而使得沟道呈不均匀分布。 当Vov=VD时，夹断点正好在分界处，此处电压Vov-VD=0V 当VDVov时，加断点左移。 求导计算。 Ro=其他变量如Vgs保持不变，Vds引起的Id的变化。 MOS器件物理基础 Chap2 # * 饱和区的MOSFET 边界条件改变 MOS器件物理基础 Chap2 # * 饱和区的MOSFET VDS VGS－VT MOS器件物理基础 Chap2 # * NMOS的IV特性(1) 截止区， VgsVTH 线性区,Vgs VTH VDS Vgs - VTH 饱和区,Vgs VTH VDS Vgs - VTH MOS器件物理基础 Chap2 # * NMOS的IV特性(2) Triode Region VDSVGS-VT VDSVGS-VT 用作恒流源条件：工作在饱和区且VGS ＝const！ MOS器件物理基础 Chap2 # * MOSFET的跨导gm gm的物理意义？ MOS器件物理基础 Chap2 # * 目录 MOS器件结构 MOS的I/V特性 二阶效应 体效应 沟道长度调制 亚阈值导电性 MOS模型 总结 MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS管的开启电压VT及体效应 ΦMS：多晶硅栅与硅衬底功函数之差 Qdep耗尽区的电荷,是衬源电压VBS的函数 Cox：单位面积栅氧化层电容 MOS器件物理基础 Chap2 # * 体效应/背栅效应 体效应系数，VBS＝0时，?＝0 MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS管体效应的Pspice仿真结果 Vb=0.5v Vb=0v Vb=-0.5v Id Vg 体效应的应用： 利用衬底作为MOS管的第3个输入端 利用VT减小用于低压电源电路设计 MOS器件物理基础 Chap2 # * 沟道长度调制(1) L L’ MOS器件物理基础 Chap2 # * 沟道长度调制(2) ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS管跨导gm不同表示法比较 跨导gm 1 2 3 上式中: MOS器件物理基础 Chap2 # * 亚阈值导电性(1) 弱反型区 中反型区 强反型区 MOS器件物理基础 Chap2 # * 亚阈值导电性(2) (ζ1,是一个非理想因子) 弱反型区 亚阈值导电引起功率损耗！适合于低功耗低频应用 指数关系 平方律 MOS器件物理基础 Chap2 # * 目录 MOS器件结构 MOS的I/V特性 二阶效应 MOS模型 大信号模型 小信号模型 总结 MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS器件版图 MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS器件电容(1) MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS器件电容(2) C3=C4=COVW Cov：每单位宽度的交叠电容 C1=WLCox C5、C6： 1、下极板电容Cj 2、侧壁电容Cjsw MOS器件物理基础 Chap2 # * MOS器件电容(3) MOS管关断时: CGD=CGS=CovW, CGB=C1//C2(耗尽层形成) MOS管深线性区时: CGD=CGS=C1/2+CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 S/D电压近似相等，C1被平分 MOS管饱和时: CGS= 2C1/3+CovW , CGD=CovW, CGB=0, C2被沟道屏蔽 沟道电势的非均匀分布 MOS器件物理基础 Chap2 #