光辐射探测技术应用.ppt

* 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 直流负载线设计 直流负载线设计，就是在反偏压V及入射光功率P条件下，如何设计负载电阻的问题。 3. 光电变换的伏安特性分析 最小负载电导时 * 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 光电二极管的频率响应特性主要由三个因素决定： 光生载流子在耗尽层内的漂移时间 负载电阻RL、结电容Ci决定的电路时间常数 光生载流子在耗尽层附近的扩散时间 4. 频率响应特性 5. 噪声 光电二极管的噪声包含低频噪声、散粒噪声、热噪声。主要是散粒噪声。 散粒噪声是由于电流在半导体内的散粒效应引起的。 暗电流、背景电流和信号光电流 因此散粒噪声为 由反向偏置的光电二极管电流与入射辐射的关系 再考虑负载电阻的热噪声，则 散粒噪声是电荷载体的粒子特性的结果。半导体内流动的DC电流通常被认为在每一时刻都是恒定的，但是任何电流都是由一个个的电子和空穴的运动所形成的。只有这些电荷载体所产生的电流的时间平均值才可以看做是恒定的电流。电荷载体数量的任何波动都会在那个时刻产生随机的电流，这就是散粒噪声 是不是 光电流/暗电流 就代表了动态范围？ * 第4章 光辐射的探测技术 4.7.2 PIN硅光电二极管 I层是高电阻区 暗电流小 I层是高电场区 漂移运动快 耗尽层加宽 扩散过程缩短 结电容减小 有利于提高量子效率 提高了频率响应 * 第4章 光辐射的探测技术 4.7.3 雪崩光电二极管(APD) 利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应。 结构特点：高纯度、高电阻率、均匀性好的材料； 有保护环；偏压高，一般为几百伏。 * 结构 原理 基本应用电路 第4章 光辐射的探测技术 4.7.4 光电三极管 信号的解调 光辐射的解调 1. 强度调制的解调 2. 振幅调制的解调 3. 频率及相位调制的解调 1. 强度调制的解调 设调制信号为f(Q)，则调制后光波强度为： 设光电探测器的响应度为R（uA/uw），则光电流为： 或： 光电探测器的输出信号正比于调制信号。故对于强度调制，采用直接探测方式便可获得不失真的解调 对于振幅调制，可以采用直接探测方式解调，也可采用相干探测解调。 振幅调制的光波可表示为： 当采用直接探测时，光电流为： 或： 可见，要达到线性解调，还必须对信号电流（或电压）作开平方运算： 开平方运算可采用模拟电路或数值运算。 前者成本低，速度高，但精度较差； 后者一般由计算机完成，可达到相当高的精度，但成本较高，且速度稍低。 2. 振幅调制的解调 3. 频率及相位调制的解调 对于频率和相位调制的光波，由于它们在光强中不能产生贡献，故不能采用直接探测方法，而必须先将其转换成对光强有影响的形式，然后再由光电器件转换成电信号。 FM光波和PM光波的解调通常采用外差法。 设信号光和参考光为平面波，分别可表示为： 则探测器D处，总光场为： 设信号光和参考光为平面波，分别可表示为： 则探测器D处，总光场为： 总光强为： 对相位调制 对频率调制 上式可见，滤除直流后还是不能直接分离出信号，需进一步通过鉴频器转化。 3. 频率及相位调制的解调 对频率调制 教材作业： 1 2 光敏电阻的常用偏置电路 补充作业1：分析如下集中光敏电阻工作电路的原理，总结其优缺点。 参考资料：王庆友主编，《光电技术》，电子工业出版社 简述照明灯的光电控制电路工作原理 补充作业2： 参考资料：王庆友主编，《光电技术》，电子工业出版社 简述火焰探测报警器的工作原理 补充作业3： 参考资料：王庆友主编，《光电技术》，电子工业出版社 简述照相机电子快门的工作原理 补充作业4： 参考资料：王庆友主编，《光电技术》，电子工业出版社 补充作业5： 如图所示为硅光电池的伏安特性曲线，请问： (1)、曲线所在的两个区域（ I 区和II区）是怎么划分的？这两个区域各有什么特点？ (2)、硅光电池作为供电电源、光电开关和光信号检测时分别应该工作在哪个区域？ (3)、硅光电池工作在I区时有哪两种输出方式？这两种方式各有什么特点和要求？ 补充作业6： 光电二极管和光电池的区别主要有哪些？ 补充作业7： 请画出外差探测法的光路结构，并分析说明该方法的原理和特点。 * 光导管更多的是指一种绿色光源，不是基于光电效应的。 * 为什么结区无光照时扩散的电子空穴在器件两端无电压体现，有光照时电子扩散的结果就有了开路电压？ * 百度图片“热释电”，很多实用资料 * 光电二极管和光电池一样．都是基于PN结的光电效应而工作的；但是它与光电池相比有所不同： ① 就制作基底材料的掺杂浓度而言，光电池的掺杂浓度较高； ② 光电池