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- 2019-12-22 发布于山东
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第7章 半导体存储器 本章目标要求 7.1.1 半导体存储器分类 7.1.2半导体存储器技术指标 1. 存取容量 7-2 只读存储器 7.2.1 掩模只读存储器 1. ROM的基本结构和工作原理 7.2.2 可编程只读存储器 7.2.3 可擦可编程只读存储器 1. EPROM 2. EEPROM 7.2.4 快闪存储器 7-3 随机存取存储器 7.3.1 静态随机存储器(SRAM) 1. RAM的结构和工作原理 工作原理 2. 双极型SRAM的存储单元 3. CMOS型SRAM的存储单元 4.SRAM芯片举例 7.3.2 动态随机存储器(DRAM) 2. DRAM芯片举例 7-4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展 7.4.2 字扩展 I/O端画双箭头是因为数据既可由此端口读出,也可写入 地址译码器分成行地址译码器和列地址译码器 例:一个4K字的RAM ① 存储矩阵 共有28行×24列共212(4096)个信息单元(即字) 每个信息单元有k位二进制数(1或0) X0 X255 Y0 Y15 A0 A7 A8 A11 举例:32行×8列×4位/字RAM存储矩阵的示意图 如果X0=Y0=1,则选中第一个信息单元的4个存储单元,可以对这4个存储单元进行读出或写入 ③ 读写控制电路 当R/W =0时,进行写入(Write)数据操作。 当R/W =1时
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