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第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 二.本征半导体 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.两种载流子（运载电荷的粒子） 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 2.载流子的浓度 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度。 ※本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。 ※复合：自由电子在运动过程中与空穴相遇，填补空穴的现象。 ※动态平衡：本征激发产生的自由电子与空穴对与复合的自由电子与空穴对数目相等的情况。 1.1 半导体基础知识 一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴浓度相等。温度越低，载流子浓度越低，反之越高。 由此可见，在T=0时，本征半导体为绝缘体。 1.1 半导体基础知识 三.杂质半导体 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 2. P型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入硼、铝等3价元素，由于这类元素的原子最外层只有3个价电子，故在构成的共价键结构中，由于缺少价电子而形成大量空穴，这类掺杂后的半导体其导电作用主要靠空穴运动，称为空穴半导体或P型半导体，其中空穴为多数载流子，热激发形成的自由电子是少数载流子。 1.1 半导体基础知识 3.比较 N型半导体 P型半导体 多子 自由电子 空 穴 少子 空 穴 自由电子 1.1 半导体基础知识 四.PN结 *（重点） 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 2. PN结的特性（单向导电性） 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 3.PN结的电流方程 1.1 半导体基础知识 4.PN结的伏安特性 1）加正向电压时，若 ，则： 1.1 半导体基础知识 5.反向击穿 定义：当反向电压超过一定数值U（BR)后，反向电流急剧增加的现象。反向击穿按机理不同分齐纳击穿和雪崩击穿。 1.1 半导体基础知识 势垒电容Cb PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容。 * * 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 （自学了解内容） 1.6 集成电路中的元件 （自学了解内容） 一、半导体及其特点 1. 导体、绝缘体和半导体 ※导体：能够导电的物体叫导体。其电阻率很小。如金、银、铁和铝等。 ※绝缘体：几乎不能导电的物体叫绝缘体。其电阻率很大。如橡胶、陶瓷、塑 料、玻璃和干木头等。 ※半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物体叫半导体。如硅 、锗、硒等。 2. 半导体的特点 （1）热敏特性 （2）光敏特性 （3）掺杂特性 定义：纯净的具有晶体结构的半导体。 硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。每个原子周围有四个相邻的原子，原子之间通过共价键紧密结合在一起。两个相邻原子共用一对电子。 图1.1.1 本征半导体结构示意图 室温下，由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位这个空位称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。将空穴看成带正电荷的载流子。 注意：本征半导体是由热激发产生自由电子和空穴的，并且自由电子和空穴是成对出现的，它们都参与导电。 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 定义：在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素。（主要是通过扩散工艺） 1. N型半导体 在纯净半导体硅或锗中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体，其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子。 图1.1.3 N型半导体 图1.1.4 P型半导体 注意： ※无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 ※掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 ※少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一