效应管放大电路.pptVIP

* * 极限参数 极限参数值是不允许超过的参数。 漏极击穿电压 对管子栅源间所允许加的最大电压 栅源击穿电压 对管子栅源间所允许加的最大电压 最大功耗 管子的最大耗散功率 PDM=IDM·VDS 作业 4.1 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子电路基础 第七讲 场效应管放大电路（1） 上节课回顾 ?模型 单管放大电路的频率特性 分三个波段分析 每个波段影响频率特性的器件 密勒电容 电容Cb?c的计算 电阻rbe 主要内容 4.1 场效应管特性 场效应管分类 MOSFET，简称MOS器件 绝缘栅场效应管(IGFET)结构的器件中，最常见为金属-氧化物-半导体结构 (Metal-Oxide-Semiconductor) 场效应管分类 结型场效应管（JFET） 绝缘栅场效应管（IGFET） 金属场效应管 内部结构有区别，外部特性相同 场效应管与双极性三极管的区别 两者工作机理不同 BJT有两种载流子（多子、少子） FET有一种载流子（多子） 控制方式的不同 BJT：电流控制方式 FET：电压控制方式 结型场效应管符号 P沟道 N沟道 箭头为PN结导通方向 N沟道结型场效应管构造 P区掺杂浓度高，N区掺杂浓度低 PN结在N区的厚度较大 P区引出的电极为栅极（G） N区两端引出漏极（D）和源极（S） 工作原理 管子工作要求外加电源保证静态设置 VDS 漏极直流电压------加正向电压 VGS 栅极直流电压------加反向电压 三种工作状态 不饱和区（线性电阻区） 饱和区 截止区 击穿区 不饱和区（线性电阻区） |UGS|和UDS都比较小 沟道宽度主要由UGS决定， UDS的影响可以忽略 表现为受UGS控制的 线性电阻 |UGS|越小 沟道越宽 电阻越小 饱和区 UDS 增大，近漏端沟道宽度变窄 ID由UGS决定， 时 沟道在近漏端被预夹断 不再受UDS影响 截止区 PN结阻挡层厚度总和 等于导电沟道宽度， 沟道被全部夹断 漏极电流 击穿区 |UDS |增大到某个数值时 栅极和漏极之间的PN结 发生击穿 ID急剧增大 UGS的作用（不加UDS ） 横向电场作用 ︱ UGS ︱↑ PN结耗尽层宽度↑ 沟道宽度 ↓ VDS 漏极直流电压的作用 纵向电场作用 在沟道造成楔型结构（上宽下窄） a点（顶端封闭） ——预夹断 b点（底端封闭） ——全夹断（夹断） N沟道结型场效应管转移特性曲线 UGS(off) 为夹断电压 IDSO为 时的饱和电流 结型场效应管输出特性 结型场效应管直流参数 栅源短路电流IDSO UGS＝0时的漏极电流，ID的最大值 夹断电压UGS（off） ID?0（50uA）对应的栅源电压 栅源电阻RGS 漏源极短路时，栅源极之间的等效电阻，107~109数量级 结型场效应管交流参数 正向跨导gm 在饱和区，当漏极电压一定时，漏极电流iD关于栅源电压uGS的偏导数： 漏源等效电阻rDS 栅源电压一定时，漏源极之间的等效电阻 在线性电阻区rDS较小，在饱和区 rDS较大 绝缘栅型场效应管 N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型 绝缘栅场效应管(IGFET)结构的器件中，最常见为金属-氧化物-半导体结构 (Metal-Oxide-Semiconductor) 绝缘栅型场效应管构造（N沟道增强型） 绝缘栅型场效应管工作原理 通过改变漏源间导电沟 道来控制漏极电流ID 与JFET的差别在于沟道 形成原理不同 截止区 UGS比较小时 漏源间是一对背靠背的PN结 漏极电流ID＝0 MOSFET处于截止状态 线性电阻区 当 时 在电场的作用下，衬底中的自由 电子被吸引到栅极附近，浓度超 过空穴，形成反型层 反型层将两个N＋区域连通， 形成导电沟道。 若UDS较小， 沟道表现为受 UGS控制的线性电阻 饱和区（恒流区） 导通时，近漏端电压 沟道在A点预夹断 ID不再受UDS的影响： N沟道增强型场效应管转移特性 N沟道耗尽型场效应管转移特性 N沟道增强型MOSFET输出特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET在输出特性曲线 直流参数 直流参数与管子的工作条件有关 夹断电压 当UGS=UGS(OFF)时 ，iD=0 开启电压 当UGSUGS(th)时 ，iD≠0 漏极饱和电流 当UGS=0时（ＵDSUGS(off) ）， ID=IDSO 直流输入电阻 对JFET ： rGS 大约 108～109