第三章异质的结能带图.pptVIP

有外加偏压时： x1 x2 DEc DEv EF1 Ev1 EC2 EF2 Eg1 Eg2 f1 f2 NC ?? 导带有效状态密度 价带有效状态密度 内建电场计算 突变反型异质结的势垒电容 势垒区内电荷总量相等 （3.1.3）突变同型异质结 EF2EF1, 电子从宽带流入窄带 必有一边为积累区 异型异质结中，少子起主要作用。 同型异质结（nN和pP）中，其性质主要是由多数载流子决定。 同型异质结中，由于异质结两边的导电型号相同，两侧不再象异型异质结那样出现两个耗尽层构成的电偶极区。而是在宽带隙一侧的施主（nN结N侧）或受主（pP结的P侧）电离产生足够的空间电荷，而窄带隙一侧出现多子的积累。因此，同型异质结是由宽带一侧的耗尽层和窄带一侧的载流子积累层构成的电偶极区。 3.1.4）几种异质结的能带图 (1) p-N异质结 (2) n-P异质结 (3) n-N同型异质结 (4) p-P 同型异质结 A 宽带掺杂少 相近 窄宽带掺杂少 3.1.5 尖峰的位置与掺杂浓度的关系 尖峰的位置由两侧的掺杂决定 异质结应用举例 什么是Anderson 定则？ 异质结能带有几种突变形式？ 尖峰的位置与掺杂浓度的关系是什么？ 同质结和异质结的电势分布有何异同？ 同型异质结有哪些特点。 3.1节 （3.1.1）能带图 （3.1.2）突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度 （3.1.3）突变同型异质结 （3.1.4）几种异质结的能带图 （3.1.5) 尖峰的位置与掺杂浓度的关系 第三章 异质结的能带图 （3.1.1）能带图 A B Ec Ec A B Ec Ec Ev Ev Ev Ev 能带结构 异质结界面两侧的导带极小值和价带最高值随坐标的变化。 什么是能带图？ Let x be the electron affinity, which is the energy required to take an electron from the conduction band edge to the vacuum level, 电子亲和势?：电子由导带底跃迁到真空能级所需的能量，?=E0-Ec vacuum level Ec Ev let f be the work function, which is the energy difference between the vacuum level and the Fermi level. 功函数?：电子由费米能级至自由空间所需的能量，?=E0-F f Ec Ef Ev Andersons rule states that when constructing an energy band diagram, the?vacuum levels?of the two semiconductors on either side of the heterojunction should be aligned 不考虑界面态时的能带结构 (一）能带图 由电子亲和能、禁带宽度、导电类型、掺杂浓度决定 A 突变反型 x1 x2 DEc DEv EF Ev EC EF Eg1 Eg2 f1 f2 未组成异质结前的能带图 1 2 1异质结的带隙差等于导带差同价带差之和。 2导带差是两种材料的电子亲和势之差。 3而价带差等于带隙差减去导带差。 x1 x2 DEc DEv EC2 Eg1 Ev2 Ec1 Ev1 n-GaAs P-GaAs p n 当两种单晶材料组成在一起构成异质结后，它们处于平衡态，费米能级应当相同。 为了维持各自原有的功函数?和电子亲和势?不变，就会形成空间电荷区，在结的两旁出现静电势，相应的势垒高度为eVD，e为电子电荷，VD为接触电势。 它等于两种材料的费米能级差： EC EF2 Eg2 Eg1 EF1 Eg1 EF1 EC EF2 Eg2 接触前 接触后 1. Align the Fermi level with the two semiconductor bands separated. Leave space for the transition region. 如何画接触后的异质结能带图 EC EF2 Eg2 Eg1 EF1 内建电场=》空间电荷区中各点有附加电势能，使空间电荷区的能带发生弯曲。 Eg1 eVD EC Eg2 1 能带发生了弯曲：n型半导体的导带和价带的弯曲量为qVD2, 界面处形成尖峰. p型半导体的导带和价带的弯曲量为qVD1, 界面处形成凹口(能谷）。 2 能带在界面处不连续，有突变。 Ec , Ev There is nonsymmetry in DEC and DEv values that will tend to make the potent