章半导体三极管及放大电路精.ppt

一、电压放大倍数 总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积，即 其中，n为多级放大电路的级数。 二、输入电阻和输出电阻 多级放大电路的输入电阻是输入级的输入电阻： 输出电阻就是输出级的输出电阻： 计算时，有时不仅决定于本级参数，也与后级或前级的参数有关。 6.5 场效应管 场效应管是由一种载流子参与导电的半导体器件 是用输入电压控制输出电流的的半导体器件。 按结构来划分，它有两大类。 结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 1. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 ⑴ N沟道增强型MOSFET 结构和工作原理 ①结构 N沟道增强型MOSFET结构示意图和符号图 d(Drain)为漏极，相当c g(Gate)为栅极，相当b s(Source)为源极，相当e 2. 结型场效应管 结型场效应管常用英文缩写JFET来表示（Junction Field Effect Transistor)。 两种类型，分为N沟道和P沟道两类。 在一块N型半导体的两边制作高掺杂浓度的P+区，形成两个PN结，彼此相连作为栅极。在N型半导体的两端各引出一个电极作源极和漏极。两个P+区中间的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。图为N沟道结型场效应管结构示意及符号图。栅极箭头指向源极的是N沟道，反之为P沟道。 2. 结型场效应管 g 栅极 d 漏极 S 源极 N P+ P+ （a） VDD N d g s + - + - uGS VGG uDS P+ P+ 沟道 iD （b） d g s （c） 栅源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，形成耗尽层，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│增加到一定值Up时 ，沟道会完全合拢。 2. 结型场效应管 漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。预夹断后， uDS↑→iD 几乎不变。 2. 结型场效应管 结型场效应管的特性曲线 uDS(V) iD(mA) 0 4 8 12 5 -4 -3 -2 -1 uGS =0V 输出特性曲线 -5 16 -uGS（V） 1 2 3 4 转移特性曲线 8 IDSS 4 6 2 7 8 1 3 4 6 2 7 8 1 3 5 0 5 6 7 iD(mA) * * 由图可知，当温度升高时，由于ICEO、β增大，且输入特性左移，则集电极电流增大。 温度升高将导致 IC 增大，Q 上移。波形容易失真。 iC uCE O iB Q VCC T = 20 ?C T = 50 ?C 图2.4.1　晶体管在不同环境温度下的输出特性曲线 典型的静态工作点稳定电路 稳定Q点常引入直流负反馈或温度补偿的方法使IBQ在温度变化时与ICQ产生相反的变化。 图 静态工作点稳定电路 (a) 直接耦合电路 (b) 阻容耦合电路 (c) 图a,b的直流通路 一、电路组成和Q点稳定原理 基极电位仅决定于分压，与温度无关。 　　t ? ? ICQ ? ? IEQ ? ? UEQ ? ? UBEQ (= UBQ – UEQ) 　　　? ? IBQ ? ? ICQ ? ——电流负反馈式工作