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光刻工艺步骤介绍 光刻工艺流程 涂胶工艺介绍 具体过程： 1）增粘处理 2）涂胶 3）涂胶后烘 增粘处理（化学气相涂布） 1 化学品： HMDS液（六甲基二硅亚胺） 2.目的： 由于圆片表面是亲水的，而光刻胶具有疏水性如果不进行增粘处理直接涂胶并后烘，就会有水存在于圆片和胶分界处，导致光刻胶在圆片表面的粘附性变差。增粘处理可以增加圆片表面对光刻胶的粘附性，对保持光刻图形完整性，稳定性以及光刻胶对刻蚀和注入工艺的屏蔽都有很重要的作用。 3.过程 高温气化后的HMDS与圆片同处一腔经过一段时间作用完成。 涂胶 化学品 光刻胶 由具有感光性高分子聚合物、增粘剂、溶剂以及其它添加剂组成。 稀释剂（EBR-10A） 喷胶方式 动态 喷胶时圆片旋转，胶膜均匀性较好但粘附性稍差。 静态 喷胶时圆片静止，胶膜粘附性较好但均匀性稍差。 涂胶后烘 目的： 提高光刻胶与衬底（圆片）的粘附力及胶膜的抗机械磨擦能力。 作用： 充分的前烘可以改善胶膜的粘附性与抗刻蚀性。 方式： 烘箱对流加热 红外线辐射加热 热板传导加热