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CVD 原理
定义
气态物种输运
沉积过程热力学和动力学
CVD 技术分类
CVD 制备薄膜
CVD 技术的优缺点;;K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170;气态物种的输运;开管气流系统中的质量输运
——水平反应管中的气流状态;滞流薄层模型 气态组分从主气流向生长表面转移需通过附
面层，气态组分通过附面层向生长表面转移
一般是靠扩散进行。
粒子流密度:
质量转移系数:
附面层厚度：
平均附面层厚度：;输运流量的计算;沉积过程热力学;CVD：气固表面多相化学反应;沉积层生长速率、质量与沉积参数的关系规律;实验参量对过程控制机制和沉积速率的影响;;1.基片架 2.热电偶 3.红外测温仪 4.窗口
5.喷嘴 6.加热催化器 7.接真空泵 8.基片;CVD技术的应用及薄膜制备;氯硅烷氢还原(SiHCl3+H2=Si+3HCl)生产多晶硅装置简图;APCVD制备TiSe2薄膜;APCVD制备MoSe2薄膜;LPCVD制备立方SiC薄膜;J.H Shin, R.A. Jones, G.S. Hwang, J.G. Ekerdt et al./ J. AM. CHEM. SOC 128 (2006) 16510-16511;PECVD制备纳米晶金刚石薄膜;MOCVD制备FeSn合金薄膜;HWCVD制备微晶TiO2薄膜; 可制备高度致密、高纯度材料
沉积速率高且易控制，过程重现性好、薄膜结合力强
布散能力好，能实现共形沉积
可用前驱物广泛，可制备多种材料; K.L. Choy. / Progress in Materials Science 48 (2003) 57–170
S.E. Brodshaw. / Int. J. Electron., 21 (1966) 205; 23 (1967) 381
Schlichting H. , “Boundary Layer Theory” 4th. ch. 7, McGraw-Hill Book Co. (1955).
R.E. Treybel. , “Mass-Transfer Operations” ch. 3, McGraw-Hill Book Co. (1955).
R.F. Lever. / IBM J. Res. Develop., 8 (1965) 460
T.O. Sedgwick. / J. Electrochem. Soc., 111 (1964) 1381
Y.J. Li et al. / Journal of Crystal Growth 260 (2004) 309–315
Landstrom et al. / J. Phys. Chem. B 107 (2003) 11615-11621
Vetrivel et al. / J. Phys. Chem. C 111 (2007) 16211-16218
Kamins et al. / Appl. Phys. Lett 76 (2000) 562-564
王豫，水恒勇，热处理，16（2001）1-4
A.H. Mahan. / Solar Energy Materials﹠Solar Cells 78 (2003) 299-327
N.D. Boscher, I.P. Parkin et al. / Chem. Vap. Deposition 12 (2006) 54–58
N.D. Boscher, I.P. Parkin et al. / Chem. Vap. Deposition 12 (2006) 692–698
H.W. Zheng, X.G. Li et al. / Ceramics International 34 (2008) 657–660
J.H Shin, R.A. Jones, G.S. Hwang, J.G. Ekerdt et al./ J. AM. CHEM. SOC 128
(2006) 16510-16511
X.M. Meng et al. / Vacuum 82 (2008) 543–546
K.M. Chi et al. / Chem. Mater 14 (2002) 2028-2032
T. Iida et al. / Thin Solid Films 516 (2008) 807–809;参考文献;CVD 背景;开管气流系统中的热力学分析;CVD技术分类
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