外延片工艺流程.pdf

LED 外延片工艺流程： LED 外延片工艺流程如下： 衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N 型 GaN 层生长 - 多量子阱发光层生 - P 型 GaN 层生长 - 退火 - 检测（光荧光、 X 射线） - 外延片 外延片 - 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电 极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片： 将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。 此过程中产生的硅粉采用水淋， 产生废 水和硅渣。 退火： 双工位热氧化炉经氮气吹扫后， 用红外加热至 300~500℃，硅片表面和氧气发生反应， 使硅片表面形成二氧化硅保护层。 倒角： 将退火的硅片进行修整成圆弧形， 防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及 光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。 分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨： 用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层， 有效改善单晶硅片的曲度、 平坦 度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。 清洗： 通过有机溶剂的溶解作用， 结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。 此工序产 生有机废气和废有机溶剂。 RCA 清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。 具体工艺流程如下： SPM 清洗：用 H2SO4 溶液和 H2O2 溶液按比例配成 SPM 溶液， SPM 溶液具有很强的氧化 能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成 CO2 和 H2O 。用 SPM 清洗硅 片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。 DHF 清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金 属也被溶解到清洗液中，同时 DHF 抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。 APM 清洗： APM 溶液由一定比例的 NH4OH 溶液、 H2O2 溶液组成，硅片表面由于 H2O2 氧化作用生成氧化膜（约 6nm 呈亲水性） ，该氧化膜又被 NH4OH 腐蚀，腐蚀后立即又发生 氧化，氧化和腐蚀反复进行， 因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。 此处产生氨气和废氨水。 HPM 清洗：由 HCl 溶液和 H2O2 溶液按一定比例组成的 HPM ，用于去除硅表面的钠、铁、 镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。 DHF 清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。 磨片检测： 检测经过研磨、 RCA 清洗后的硅片的质量， 不符合要求的则从新进行研磨和 RCA 清洗。 腐蚀 A/B ：经切片及研磨等机械加工后， 芯片表面受加工应力而形成的损伤层， 通常采用化 学腐蚀去除。腐蚀 A 是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、 NOX 和废混酸； 腐蚀 B 是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐 蚀 A ，一部分采用腐蚀 B 。 分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。 粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在 10~20um 。此处产生粗抛废液。 精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量 1 um 以下，从而得到高平坦 度硅片。产生精抛废液。 检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或