al含量对ganalxga1－xn量子点中激子态的影响.pdf

第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 Al 含量对 Ga N/ Al x Ga1 - x N 量子点中激子态的影响 戴宪起 　黄凤珍 　郑冬梅 (河南师范大学物理系 , 新乡　453007) 摘要 : 利用有效质量方法和变分原理 ,考虑内建电场和量子点的三维约束效应 ,研究了 Al 含量对局域在 GaN/ Alx Ga1 - x N 量子点中激子性质的影响. 结果表明 ,随着 Al 含量的增加 , GaN/ Alx Ga1 - x N 异质界面处的导带不连续 性增强 ,势垒变高 ,载流子受到的约束增强 ,激子结合能增加 , 电子空穴的复合率先增大后减小 ,且存在最大值. 对 给定体积的量子点 ,随其高度的变化激子结合能存在最大值 ,相应的电子空穴被最有效约束 ,激子态最稳定. 关键词 : 量子点 ; 自发极化和压电极化 ; 电子空穴复合率 ; 激子结合能 PACC : 7320D ; 7760 ; 7 135 中图分类号 : O472 + 3 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 域在 GaN/ Alx Ga1 - x N 量子点内激子性质的影响. 1 　引言 2 　计算理论 GaN 是一种直接宽带隙、强原子键 、高热导率 、 具有强发光能力的半导体材料 ,可用来制备高稳定 2 1 　内建电场 性 、耐高温 、耐辐射的短波长 、大功率光电子器件[ 1 ] . 目前 , 已有很多关于不同类型 GaN 量子点的生长和 六方结构的 Ⅲ族氮化物半导体的突出特性之一 特性的研究报道[2～9 ] . 用分子束外延法生长 GaN/ 是具有很强的极化效应 ,包括自发极化 Psp 和压电极 [2 ,3 ] [4 ,5 ] 化 P . 自发极化是六方结构所固有的, 极化方向与 AlN 和 GaN/ Alx Ga1 - x N 量子点已实现. 最 pe 近 , Tanaka[ 6 ,7 ] 等人又用金属有机物气相外延法在 生长方向[ 000 1] 相反. 压电极化是由异质界面处两 Alx Ga1 - x N 衬底上生长 了 GaN 量子 点. Fonobe 种材料的晶格常数不匹配引起的, 其方向由材料所 rov[ 8 ,9 ] 等人简要计算了几种具体的 GaN 量子点中 受的力是压应力还是张应力来决定. 总极化 P 为压 电极化 P 和自发极化 P 之和, 即 P = P + P . 激子的性质. 量子点的形成对局域在其中的电子和 pe sp sp pe 空穴