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PAGE PAGE 47 半导体物理 实验讲义 北方工业大学信息工程学院 微电子实验中心 2004 目 录 TOC \o 1-1 \h \z \u 实验一 激光测定硅单晶的晶向 1 实验二 霍尔系数及电阻率的测量 6 实验三 外延片和氧化层厚度的测量 17 实验四 硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示 21 实验五 椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率 28 实验六 PN结温度特性的测量 40 实验七 PN结C-V特性测试 47 试验八 半导体材料的方阻和电阻率的测量研究 51 实验一 激光测定硅单晶的晶向 晶面定向就是要确定单晶体的表面与某指定的基准晶面之间的夹角。当晶面定向仪与切片机联合使用时，可以确定单晶体某一基准晶面的法线与切片设备定向夹具轴线的夹角。 硅、锗单晶体是金刚石结构，具有各向异性。生长速度、腐蚀速度、氧化速度、扩散系数和解理特性等都和晶体取向有关。在半导体器件的科学研究和生产中需要一定晶向的锗、硅等单晶体，因而晶向是一个基本材料参数。在切片工艺中沿特定晶向或偏离一定角度进行切割，可以有效地提高器件的质量和成品率。 测定晶体取向有解理法，X射线劳埃法，X射线衍射法和光学反射图象法等多种方法。共中光学反射图象法是目前生产中广泛使用的方法，这个方法较为简便，能直接进行观测，而且在测定低指数晶面时精确度相当好。 一、实验目的 本实验的目的，就是要了解光学反射图象法测定单晶晶面的原理，通过使用激光定向仪掌握测定硅单晶的(111)、(100)等晶面的定向技术。 二、实验原理 光学反射图象法定向是根据单晶体解理面的光反射性和晶体结构的对称性来实现晶体的晶面(轴)定向的。它的工作原理是用激光光点反射仪测定晶体表面的光反射图形的形状和位置，从而确定晶面(轴)的方向。 单晶表面经某些腐蚀液腐蚀后，在金相显微镜下会观察到许多腐蚀坑，即所谓金相腐蚀坑(或称晶向的光象小坑)。这些腐蚀坑是由与晶格主要平面平行的小平面所组成。它们是一些有特定晶向的晶面族，构成各具特殊对称性的腐蚀坑，这是晶体各向异性的结果。锗、硅单晶体的{111}晶面是原子密排面，也是解理面(或称劈裂面)。当用金刚砂研磨晶体时，其研磨表面将被破坏，出现许多由低指数晶面围成的小坑。这些小坑对于不同晶面具有不同的形状，可以利用这些小坑进行光学定向。但由于光的散射和吸收较严重，使得反射光象较弱，图象不清晰，分辨率低。为获得满意的结果，可在晶体研磨后再进行适当 腐蚀，使小坑加大。经过腐蚀处理的晶面，不但形状完整，且具有光泽。当一束细而强的平行光垂直入射到具有这种小坑的晶体表面时，在光屏上就能得到相应的反射光象。因为激光束的直径约一毫米左右，而小坑的大小一般为微米量级，因而激光束可投射到众多小坑上。这个光象就是由众多小坑上相同取向的晶面反射的光线朝相同的方向汇聚在光屏上而成的光瓣。 ． 例如，当被测晶体表面接近或等于{111)晶面时，经过研磨和腐蚀处理后，在金相显微镜下会看到许多如图1．1(a)所示的三角形坑，它实际上是由三个{111)晶面作为侧面的三角截顶锥形坑，其截顶面也是{111}面。当一束平行光束垂直入射至被测的{111}晶面上时，这三个侧面和截顶面将反射成如图1．1(a)下面所示的光象。除这三条主反射线外，有时也可以看到另外三条次要的反射线，它们与主反射线的图象在光屏上呈60。相位差。 对于{100}晶面，其腐蚀坑形状如图1．1(6)所示，它由四个{111}晶面所围成的四角截 顶锥形坑，其截顶面是{100}晶面。其反射光图为对称的四叶光瓣。 图1．1低指数晶面腐蚀坑及其对应光象图 对于{110}晶面，其腐蚀坑形状如图1．1(c)所示，它有两个{111}面与110方向的夹角为54°44′，它们是光象的主要反射面，另有两个{111}晶面族与110方向平行或与(110)面垂直。当一束平行光垂直入射到被测的{110}晶面上时，一般情况形成由主反射面反射的光象，近似为一条直线。如果样品做得好，入射光又足够强，则可能得到如图1·1(c)下面所示的光象。 实际上，在锗、硅单晶生长(直拉法或悬浮区熔法)过程中，就显出它的方向特征。如果是111方向生长的单晶体，沿生长轴向的表面有三条或六条对称分布的棱线，如果是100方向生长的单晶体，其表面将有四条或八条对称分布的棱线，可以根据这些棱线的数量及排列来判别某些晶轴的大致方向。当垂直单晶生长轴向将单晶切断，根据晶棱的位置，同样可以判别其它一些晶向。例如，在111晶向硅单晶的横断面上，任意两相邻晶棱的连线的指向为110，与此垂直的方向为112，在100晶向硅单晶的横断面上，通过相对两个棱的连线方向为110，两个相邻棱的连线方向为100。在初步识别了上述这些晶轴方