电子技术基础第3章逻辑门电路.ppt

几种CMOS系列非门的DP性能比较 系列 参数/单位 74HC04 (VDD=5V) 74AHC04 (VDD=5V) 74LVC04 (VDD=3.3V) 74AUC04 (VDD=1.8V) 功耗电容CPD/pF 21 12 8 17 传输延迟时间tpd/ns(CL=15pF) 6 3.8 2.5 0.8 功耗PD ?mW(10MHz) 9 6.8 2.5 1 延时功耗积DP/pJ 54 25.84 6.25 0.8 * 扇出数：是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目。 （a)带拉电流负载 当负载门的个数增加时，总的拉电流将增加，会引起输出高电压的降低。但不得低于输出高电平的下限值，这就限制了负载门的个数。 高电平扇出数: IOH :驱动门的输出端为高电平电流 IIH :负载门的输入电流为。 * (b)带灌电流负载 当负载门的个数增加时，总的灌电流IOL将增加，同时也将引起输出低电压VOL的升高。当输出为低电平，并且保证不超过输出低电平的上限值。 IOL ：驱动门的输出端为低电平电流 IIL ：负载门输入端电流之和 * 3.4 类NMOS和BiCMOS逻辑门电路 3.4.1 类NMOS门电路 3.4.2 BiCMOS门电路 * MOS集成电路分为PMOS、NMOS和CMOS。 NMOS比PMOS速度快。 CMOS有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点成为主流器件。但CMOS电路增加一个输入端必须增加一个PMOS和一个NMOS管，在某些希望芯片面积小的应用，仍采用NMOS。 类NMOS电路可与CMOS电路相匹配。 3.4.1 类NMOS门电路 * 1. 类NMOS反相器 当vI=0 : NMOS管截止， PMOS管导通,输出高电平。 当vI=VDD : NMOS管和PMOS管均导通, NMOS管比PMOS管导通电阻小很多，输出低电平。 * 2. 类NMOS与非门和或非门 * 特点:功耗低、速度快、驱动力强 3.4.2 BiCMOS门电路 ?I为高电平: MN、M1和T2导通，MP、M2和T1 截止，输出?O为低电平。 工作原理: M1的导通, 迅速拉走T1的基区存储电荷; M2截止, MN的输出电流全部作为T2管的驱动电流, M1 、 M2加快输出状态的转换 * ?I为低电平: MP、M2和T1导通，MN、M1和T2 截止，输出?O为高电平。 T2基区的存储电荷通过M2而消散。 M1 、 M2加快输出状态的转换电路的开关速度可得到改善 M1截止，MP的输出 电流全部作为T1的驱动电流。 * 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.1 BJT的开关特性 3.5.2 TTL反相器的基本电路 3.5.3 改进型TTL门电路 * 3.5 TTL逻辑门 3.5.1 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO=VCE?VCC，c、e极之间近似于开路。 vI=0V时: iB?iBS ，vO=VCE?0.2V，c、e极之间近似于短路。 vI=5V时: BJT相当于受vI控制的电子开关。 * 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 * CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 2. BJT的开关时间 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 * 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电结和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.5.2 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 * 2. TTL反相器的工作原理（逻辑关系、性能改善） （1）当输入为低电平（?I = 0.2 V） T1 深度饱和,VB1=0.9V 截止 导通 导通 截止 饱和 低电平 T4 D4 T3 T2 T1 输入 高电平 输出 T2 、 T3截止，T4 、D导通 要使T2 、T3导通则要求，VB1=2.1V * （2）当输入为高电平（?I = 3.6 V） T2、T3饱和导通 T1:倒置的放大