单片机原理及接口技术9.pptVIP

一片32KB的62256RAM与MCS-51单片机的接口电路如图所示，地址范围为0000H～7FFFH。 例9-1：编写程序将片外数据存储器1000H~107FH全部清零。 方法一： MOV DPTR， #1000H ；设置访问地址起始地址 MOV R2， #80H ；设置循环计数初值 CLR A ；清零累加器A LOOP： MOVX @DPTR， A ；将A中的0写到外部RAM INC DPTR ；地址指针加1 DJNZ R2 LOOP ；计数减1，不为0则跳至LOOP 方法二： MOV DPTR， #1000H ；设置访问地址起始地址 CLR A ；清零累加器A LOOP： MOVX @DPTR， A ；将A中的0写到外部RAM INC DPTR ；地址指针加1 MOV R2， DPL ；读取DPTR底位 CJNE R2， #80H， LOOP ；与结束地址比较，未结束则跳至LOOP 9.5 程序存储器的扩展 （1）掩膜ROM 在制造过程中编程。因此只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次，且不能再修改。 （3）EPROM 紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）E2PROM（ EEPROM） 电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别，只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。 9.5.1 常用的EPROM芯片 典型芯片是27系列产品。例如：2764（8KB×8）、27128（16KB×8）、27256（32KB×8）、27512（64KB×8）。 “27”后面的数字表示其位存储容量。 1.常用的EPROM芯片 引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量来定，用 来进行单元选择。 D7～D0：数据线引脚 CE*：片选输入端 OE* ：输出允许控制端 PGM*：编程时，加编程脉冲的输入端 Vpp：编程时，编程电压（+12V或+25V）输入端 Vcc：+5V，芯片的工作电压。 GND：数字地。 引脚信号方式 / Vpp D7~D0 读出 低 低 +5V 程序读出 未选中 高 × +5V 高阻 编程 正脉冲 高 +25V（或+12V） 程序写入 程序校验 低 低 +25V（或+12V） 程序读出 编程禁止 低 高 +25V（或+12V） 高阻 EPROM引脚如下图 第9章 MCS-51单片机外部并行总线与存储器扩展 9.1 外部并行总线与存储器扩展概述 单片机系统与外围器件连接方式有两种，一种是通过独立的I/O端口与单片机相连接，通常称为独立连接或者分散连接；另外一种是采用分时复用技术进行信息交换，这种方式叫做总线连接。 9.2 MCS-51单片机外部总线 9.2.1外部总线结构 9.2 MCS-51单片机外部总线 9.2.1外部总线结构 1.数据总线 （Data Bus，简写DB） 2.地址总线 （Address Bus，简写AB） 3.控制总线 （Control Bus，简写CB） 9.2.2外部总线电路与地址锁存器 MCS-51单片机外部并行总线电路原理如右图所示，74HC573为地址锁存器。 写RAM控制信号 读RAM控制信号 读ROM控制信号 ALE 地址锁存信号 片内、外程序存储器选择信号 1．以P0口作为低8位地址/数据总线。 2．以P2口的口线作高位地址线。 3．控制信号线。 *使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。 *以PSEN*信号作为扩展程序存储器的读选通信号。 *以EA*信号作为内外程序存储器的选择控制信号。 *由RD*和WR*信号作为扩展数据存储器和I/O口的读选通、写选通信号。 尽管MCS-51有4个并行I/O口，共32条口线，但由于系统扩展需要，真正作为数据I/O使用的，就剩下P1口和P3口的部分口线。 1. 74HC573 74HC573是三态门输出的 8D锁存器，其引脚如右图所示。 其引脚说明如下： D0～D7：8位数据输入线。 Q0～Q7：8位数据输出线。 G：数据输入锁存选通引脚，高电平有效，当该信号为高电平时，外部数据选通到内部锁存器，负跳变时，数据锁存到锁存器中。 ：数据输出允许引脚，低电平有效。当该信号为低电平时，三态门打开，锁存器中数据输出到数据输出线，当该信号为高电平时，输出线为高阻抗。 ～ 2. 74HC373 74HC373与74HC573除引脚 不同之外，功能完全相同。 其引脚