光电检测技术及应用第2章 光电效应.pptVIP

第2章 光电效应 一、半导体物理基础 3、半导体的导电结构 在外加电场的作用下，有些电子在原来热运动的基础上迭加了定向运动，从而形成了电流。 具有能向电子提供能量的外界作用 电子要跃入的那个能级是空的 导带：电子浓度越高，导电能力愈强-电子导电的 价带：电子的空位浓度愈高，导电能力愈强-电子空位导电的 （注：电子的空位称为空穴） 载流子：电子、空穴，均称为载流子 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 本征半导体 不含杂质、 晶体结构完整 本征激发 （电子、空穴成对产生） a）T=0K b）T0K 本征半导体能带图 在热力学温度零度时，又不受光、电、磁等外界作用的本征半导体能带图。此时，导带没有电子，价带也没有空穴。因此，这时的本征半导体和绝缘体一样，不能导电。 半导体的禁带宽度 较小，因而在热运动或其他外界因素的作用下，价带的电子可激发跃迁到导带，即本征激发产生电子空穴对，参与导电。 晶体总是含有缺陷和杂质的。且常温下本征半导体中的电子、空穴是很少的，因而本征半导体的导电能力是很差的，所以它不能直接用来制造晶体管。 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 杂质半导体 P型半导体 N型半导体 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 4、载流子的运动 扩散运动：载流子从浓度高的地方向浓度低的地方运动 漂移运动：由于外场的加入（如电场）使载流子受力往特定方向运动。 扩散运动和漂移运动同时存在 漂移作用和扩散作用二者是一对矛盾 有扩散运动就会产生内建电场，引起漂移运动，而漂移运动又削弱了扩散运动。当二者的作用相等时，就达到了动态平衡，这时空间电荷区的宽度和空间电荷数目就不再增加，内建电场也不再增强，PN结处于动态平衡状态，形成PN结。 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 5、半导体的PN结 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 PN结的单向导电特性 如果在PN结上加一电压，当P区接正而N区接负时就有一定的电流通过，并且随外加电压的升高电流迅速增大；当P区接负而N区接正时，电流就很微小并且电流数值与外加电压关系不大。这就是PN结的单向导电特性。 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 非平衡状态下的PN结 1、当V=0时，即平衡态 2、当V0时，即在PN结上加正向电压， 此时 说明载流子浓度增加,增加的载流子形成结的正向电流。 3、当V0时，即在PN结上加反向电压， 此时 这说明载流子浓度减少，减少的载流子形成结的反向电流。 正向PN结能带图 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 6、半导体对光的吸收 物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。那些被物体所吸收的光，将改变物体的一些性能。 （1）本征吸收 半导体材料吸收光的原因，在于光与处在各种状态的电子、品格原子和杂质原子的相互作用。其中最主要的光吸收是由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的，这种吸收就称为本征吸收。 本征吸收的条件： 本征吸收长波限： ≤ 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 （2）杂质吸收 处于杂质能级中的电子与空穴，也可以引起光的吸收。N型半导体未电离的杂质原子，吸收光子能量 大于电离能 ，则杂质原子的外层电子将从价带跃入导带，成为自由电子；P型半导体吸收光子能 大于 ，则价电子产生电离，成为空穴，即称杂质吸收。 不同的电离能有不同的长波限，掺杂的杂质不同，吸收就可以在很宽的波段内产生。 本征吸收长波限： ≤ 或 ≥ 第2章 光电效应 一、半导体物理基础 （3）激子吸收 电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。激子的能量小于自由电子的能量，因此能级处在禁带中。激于子作为一个整体可以在晶格内自由运动，然而它是电中性的，不能产生电流。 （4）自由载流子吸收 由于自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁而引起的，因此称为自由载流子吸收。不改变半导体的导电特性。 （5）晶格吸收 光子直接转变成晶格原子的振动。宏观上表现为温度升高，引起物质的热敏效应。 第2章 光电效应 二、内光电效应 1、光电导效应 本征光电导 在本征半导体中，电子未获得其它能量之前处于基态，价带充满着电子，导带没有电子，而因晶体缺陷产生的能级又不能激发自由电子时，则这些材料的电阻是较大的。但是，如果这些材料内的电子受到一种外来能