可再生能源概论第二章能量转换基础知识.ppt

禁带宽度与载流子浓度 在具有禁带宽度Eg的半导体中，电子浓度n与空穴浓度p之间有 如下关系： 对于掺杂半导体，显然。在本征半导体中，n与p相等且有： 其中ni为本征载流子浓度。 半导体的禁带宽度作为温度的近似函数关系： 图示：三种半导体材料的禁带宽度Eg随温度的变化 半导体的电导率σ与电子浓度n和空穴浓度p之间有如下关系： 其中q为电子电荷，μn和μp分别为电子和空穴的迁移率。 将上式带入以电流密度表示的的欧姆定律，得： 其中Jx 和Ex分别为x方向的电流密度和电场强度。 PN结的内建电场和耗尽层示意图 P-N结 许多半导体器件都是由二 种不同类型的半导体薄层—P 型薄层和N型薄层组成的“结” 构成，二种材料的结合部称为 P-N结 。 当P-N结的P区接电源正极，N区接电源负极时，称为外加正向电压，也称正向偏置。外加电压几乎全部加在交界面附近的P-N结上 ,使扩散电流大大超过漂移电流。 当P-N结的P区接电源负极，N区接电源正极时，称为外加反向电压，也称反向偏置。相当于增强了内电场 ，使漂移电流超过扩散电流因为漂移电流是由少数载流子的运动产生，又称为反向饱和电流。 击穿特性：当反向电压大到—定数值时，由于外电场过强，会使反向电流急剧增加，称为电击穿。 (a) 孤立原子中的分立能级；(b) 固体中的分立能带 固体的能带 在固体中，单位体积内含有大量的原子，相应地也包含有数量 巨大的允许能级。对于如此众多的能级，由于这些紧密相邻的原 子之间的相互作用，许多能级之间的差别变得很小，从而合并在 一起，产生了能带。 半导体晶体中产生电子—空穴对所需的能量必须大于或等于介 于两个能带之间的禁带宽度。半导体的导电正是来自导带中多余 的电子和价带中的空穴。因而，为了研究半导体的导电性质，只 须关注上述两种能带。 固体导电性质的能带解释 绝缘体：价带和导带分隔很远，从而在通常的环境温度下，只有极少量的电子能接受足够的能量，从价带激发到导带 。 金属：能带或者仅部分充满，或者相互重迭。 半导体：通常具有类似绝缘体的能带构造—充满的价带和空置的导带，它们被不含能态的带隙隔开，差别在于半导体的带隙 宽度Eg 很小 掺杂半导体的附加能级和有效质量 当杂质或晶格缺陷被引入到半导体中时，能带结构中引入了附加能级（杂质能级），通常它们位于能带间隙中 本征半导体与掺杂半导体的能带 有效质量：由于晶体中的电子不是完全自由的，而是受到晶格中周期势能的作用，因此它们的“波动－粒子”运动不同于电子在自由空间的运动。于是，当应用一般的电动力学方程于固体中的载流子时，我们必须采用修正过的粒子质量数值，即有效质量 。 任何涉及电荷载流子有效质量的计算值，必须使用相关材料的有效质量值。 费米能级 费米—狄拉克统计分布（考虑电子的不可分辨性以及泡利不相容 原理 ） *f(E) 即为费米－狄拉克分布函数，它给出电子在温度T时出现在 能级E上的概率。K：玻尔兹曼常数，1.38×10-23J/K。 *EF为费米能，它代表了半导体的一个重要特性，我们注意到，当 能量E等于费米能EF时，在除了0 K外的所有温度T，电子占据能态 的概率均为 即一个位于费米能的能态被电子占据的概率恰好等于1/2。 图给出了三种不同温度下的费米— 狄拉克分布函数。 1）在绝对零度（T=0K），所有能量的可用的能态都填满了电子，而所有的能态都空置，即没有电子填充。 2）当温度高于0K时，例如在图中T=T1，存在一定的高于费米能级EF的的能态被填充的概率，而对应的另一些低于的能态被空置的概率为 。 载流子的能态分布 对于N型半导体，能量差 给出了载流子浓度n的量度。 对于P型半导体，能量差 给出了载流子浓度p的量度。 简化的能带图 空气动力学基础——机翼的几何参数及翼型的气动特性 机翼的几何特性：机翼迎向来流的最前边缘叫机翼前缘，背向来流的边缘称机翼后缘，机翼的左右两端称为翼梢。 机翼的几个主要参数有： 1）机翼面积 ：是机翼的俯视平面正投影面积； 2）机翼翼展 ：机翼两梢之间的距离称为翼展； 3）翼弦 ：前后缘连线的长度； 4）平均翼弦 ：机翼面积和翼展之比值， ； 5）展弦比 ：翼展与平均翼弦之比，称为展弦比， 记作（ ）。 翼型的几何参数如图 1) 翼弦 ：联结翼