电力电子技术期末考试试题与答案,doc.pdfVIP

海量资源，欢迎共阅 电 力 电 子 复 习 姓名：杨少航 海量资源，欢迎共阅 电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1. 电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __ ，而当器 件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、_主电 路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护 电路__。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _ 单极型器件 _ 、_双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截 止_ 。 6. 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、_ 肖特基二 极管_ 。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _ 小于_快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向 电压则截止 __ 。 9. 对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于 __IH。 10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_ 大于__Ubo。 11. 逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _ （如何连接）在同一管芯 海量资源，欢迎共阅 上的功率集成器件。 12. GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR共发射极接法时的输出特 性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、 前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和 区__ 。 14. 电力 MOSFET的通态电阻具有 __正__温度系数。 15. IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _ 略有下降 __ ，开关速度 __ 小于__ 电力 MOSFET。 16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电 力电子器件分为 _ 电压驱动型 _和_ 电流驱动型 _两类。 17. IGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系 数，在 1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。 18. 在如下器件：电力二极管（ PowerDiode）、晶闸管（ SCR）、门极可 关断晶闸管 （GTO）、电力晶体管 （GTR）、电力场效应管 （电力MOSFET）、 绝缘栅双极型晶体管（