第八章光刻与刻蚀工艺1.pptVIP

第八章 光刻与刻蚀工艺 引言： 光刻是集成电路工艺中的关键技术，其构想源于照相中复印技术，如果把掩膜版看成照相的底片，那么光刻就相当于在硅片表面上复印掩膜版图形。 光刻在集成电路制造中的应用是按照掩膜版图形在指定区域的硅片表面上开窗口，为选择扩散，选择注入，选择淀积,选择氧化做好窗口。随着集成电路的不断发展窗口的尺寸越来越小，当线条或窗口宽度小于1um即亚微米时，光刻的难度也加大，因此要求光刻做到: 8.1 光刻的工艺流程 光刻胶对UV特别敏感，但对其它波长的光，如红色，桔色，黄色光不太敏感，因此光刻间被图成黄色，工作人员也不必象洗相片那样在暗室里工作。 现在工艺上更愿意使用正胶。 光源 要求 波长短 强度大 稳定 两种紫外光源: ? 高压汞灯 ? 准分子激光器 汞气的发射光谱 曝光光源 2、X 射线曝光技术 X射线波长范围取为0.2~4nm。X射线不易聚焦，曝光方式为接近式。光源有两种，一种是电子束轰击靶X射线源，另一种是同步辐射X射线源。掩模版为 X 射线曝光专用掩模版。 （1）曝光系统 （3）X 射线曝光掩模 X 射线曝光对掩模的要求： （a）材料的形变小； （b）透 X 光能力强的材料作为掩模衬底； （c）透 X 光能力差的材料作为图形区涂敷层。 （4）X 射线光刻胶 常采用电子束光刻胶，如 PMMA 等。 （5）X 射线光源 提高 X 射线辐射功率，减小曝光时间。光源尺寸 d 1mm，以提高分辨率。X 射线能量要求 1 至10 keV 。 （6）X 射线曝光主要特点 (a) 分辩率高，理论最小线宽小于0.05 ?m ，但实际上分辨率取决于掩模并受几何畸变和半影畸变的影响。 (b) 曝光时受衍射和反射的干扰小。 (c) 掩模的制作困难，成本高。 (d) 对准困难。 (e) 受X 射线源限制，曝光时间长。 3、电子束曝光技术 （1）电子束曝光方式 (a) 无掩模扫描电子束曝光：采用计算机控制电子束直接曝光图形。图形分辨率 0.1?m ~ 1?m 。 特点：精度高，但曝光速度慢，主要用于制作掩模版。 （2）影响电子束曝光分辨率的因素 影响电子束曝光分辨率的主要因素，是由于电子在光刻胶中的散射和在衬底与胶层交界面处的背散射所引起的邻近效应。邻近效应有两种表现形式： (a) 曝光过量导致图形凸起；(b) 曝光不足导致图形缺损。 8.2 光掩模板（Photomask） 传统光学光刻掩模板是用抛光石英玻璃作透明介质，用石英板上淀积的鉻层作遮光体，鉻膜上同样甩涂光刻胶。可以根据不同精度要求及可承担的成本费用选择鉻层的图形化方法。精度高，成本高的方法有x射线，电子束直接扫描制版，中等精度，中等成本的方法有光栅曝光的图形发生器方法。精度差一点，成本低的方法有红膜照像法。 不论哪种方法，它们的原始数据（常用GDSⅡ格式）都是来自于Layout。 8.2.1 Layout Layout是版图意思，它是集成电路氧化，扩散，注入，金属化等等选择性窗口图形的总汇，也是集成电路设计的重要部分。集成电路版图是指用不同的几何图形来表示器件的物理结构。 下面说明Layout的一些基本特点： 1.Layout是多层（Layer）的，每一层对应一强光掩模板，每一强光掩模板对应一道氧化，扩散，注入，金属化等等工艺。 2.Layout是多层对准的，除了每层之间共有的对准标记之外，层与层之间对准图形有它固有的间距要求，这种要求是由集成电路生产厂家提出的一套几何图形之间关系的要求，也称版图设计规则（Layout design Rule）， 这种规则代表了该厂家加工能力，例如0.6um poly－Si CMOS设计规则表明该厂可生产最细线条宽度为0.6um的poly－Si gate的CMOS IC，同时可以达到0.6um相关工艺水平。 3.Layout的原图是通过人机对话方式或EDA方式画出，设计工程师在画每一个图形时必须了解该图形的含义，这些含义包括对器件物理，器件工艺的掌握与运用。 我们以集成电路中BJT管后期制作的Layout加以说明（局部图形） 下面给出四层套叠的图形： 8.2.2 光掩模板母版(初缩版)及工作版 a.初缩版 在光掩模板图形化时，人们通常先制成Layout图形实际尺