金属学与热处理第七章.pptVIP

亚结构的变化 图7-8 纯铝多晶体（冷变形5%） 在200℃回复退火时亚结构变化的 电镜照片 a）回复退火前的冷变形状态 b）回复退火0.1h c）回复退火50h d）回复退火300h 回复退火在工程上称之为去应力退火，使冷加工的金属件在基本上保持加工硬化状态的条件下降低其内应力（主要是第一类内应力），减轻工件的翘曲和变形，降低电阻率，提高材料的耐蚀性并改善其塑性和韧性，提高工件使用时的安全性。 四、回复退火的应用 第三节 再 结 晶 冷变形后的金属加热到一定温度或保温足够时间后，在原来的变形组织中产生了无畸变的新晶粒，位错密度显著降低，性能也发生显著变化，并恢复到冷变形前的水平，这个过程称为再结晶。再结晶的驱动力与回复一样，也是预先冷变形所产生的储存能的降低。随着储存能的释放，新的无畸变的等轴晶粒的形成及长大，使之在热力学上变得更为稳定。再结晶与同素异构转变的共同点，是两者都经历了形核与长大两个阶段；两者的区别是，再结晶前后各晶粒的晶格类型不变，成分不变，而同素异构转变则发生了晶格类型的变化。 再 结 晶 图7-9为再结晶过程中新晶粒的形核和长大过程示意图，影线部分代表塑性变形基体，白色部分代表无畸变的新晶粒。从图中可以看出，再结晶并不是一个简单地恢复到变形前组织的过程，两者的晶粒大小并不一定相同，这就启示人们掌握再结晶过程的规律，以便使组织向着更有利的方向变化，从而达到改善性能的目的。 图7-9 再结晶过程示意图 （一）形核 再结晶的形核是一个复杂问题，存在着很多不同的看法。最初有人用经典的结晶形核理论来处理再结晶的形核问题，但计算得到的临界晶核半径过大，与试验结果不符。大量的试验结果表明，再结晶晶核总是在塑性变形引起的最大畸变处形成，并且回复阶段发生的多边化是为再结晶形核所作的必要准备。随着高倍透射电镜技术的发展，人们根据对不同冷变形度的不同金属材料发生再结晶时的试验观察，提出了不同的再结晶形核机制。 一、再结晶晶核的形成与长大 再结晶晶核的形成与长大 1.亚晶长大形核机制 亚晶长大形核一般在大的变形度下发生。前面曾经指出，在回复阶段，塑性变形所形成的胞状组织经多边形化后转变为亚晶，其中有些亚晶粒会逐渐长大，发展成为再结晶的晶核。 （一）形核 再结晶晶核的形成与长大 这种亚晶长大成为再结晶晶核的方式可能有两种，其一为亚晶合并形核，即相邻亚晶界上的位错，通过攀移和滑移，转移到周围的晶界或亚晶界上，导致原来亚晶界的消失，然后通过原子扩散和位置的调整，终于使两个或更多个亚晶粒的取向变为一致，合并成为一个大的亚晶粒，成为再结晶的晶核，如图7-10a所示，图中的A、B、C 三个亚晶粒合并成一个再结晶晶核。其二为亚晶界移动形核（见图7-10b），它是依靠某些局部位错密度很高的亚晶界的移动，吞并相邻的变形基体和亚晶而成长为再结晶晶核的。 （一）形核 再结晶晶核的形成与长大 （一）形核 图7-10 再结晶形核机制示意图 a）亚晶粒合并形核 b）亚晶界移动形核 再结晶晶核的形成与长大 2．晶界凸出形核机制 晶界凸出形核又称为晶界弓出形核，当金属材料的变形度较小（约小于40％）时，再结晶晶核常以这种方式形成。由于变形度小，所以金属的变形很不均匀，有的晶粒变形度大，位错密度也大；有的晶粒变形度小，位错密度也小。回复退火后，它们的亚晶粒大小也不同。当再结晶退火时，在显微镜下可以直接观察到，晶界中的某一段就会向亚晶粒细小、位错密度高的一侧弓出，被这段晶界扫过的区域，位错密度下降，成为无畸变的晶体，这就是再结晶晶核（图7-10c）。 （一）形核 再结晶晶核的形成与长大 （一）形核 图7-10 再结晶形核机制示意图 c）凸出形核 再结晶晶核的形成与长大 当再结晶晶核形成之后，它就可以自发、稳定地生长。晶核在生长时，其界面总是向畸变区域推进。界面移动的驱动力是无畸变的新晶粒与周围基体的畸变能差。界面移动的方向总是背离界面曲率中心。当旧的畸变晶粒完全消失，全部被新的无畸变的再结晶晶粒所取代时，再结晶过程即告完成，此时的晶粒大小即为再结晶初始晶粒。 （二）长大 再结晶晶核的形成与长大都需要原子的扩散，因此必须将冷变形金属加热到一定温度之上，足以激活原子，使其能进行迁移时，再结晶过程才能进行。通常把再结晶温度定义为：经过严重冷变形（变形度在70%以上）的金属，在约1h的保温时间内能够完成再结晶（＞95％转变量）的温度。 二、再结晶温度及其影响因素 再结晶温度及其影响因素 影响再结晶温度的因素很多。例如金属的变形度越大，金属中的储存能越多，再结晶的驱动力越大，故金属的再结晶温度越低（图7-11），但当变形度增加到一定数值后，再