半导体器件分析.pptxVIP

第二章 半导体器件;2.1 半导体的基本知识; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;二. 杂质半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;N型半导体;;少子飘移;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高???阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;2.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管; 一 、半导体二极管的V—A特性曲线;三. 二极管的主要参数;二极管选项管原则;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数;五、变容二极管; 稳压二极管的主要 参数;六、发光二极管;七、光电（光敏）二极管; 2.3 半导体三极管;半导体三极管;三极管的不同封装形式;一.三极管的结构;一、 三极管的结构;二． 三极管的内部工作原理（NPN管）; （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;（3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。;;2．电流分配关系;(2)IC与I B之间的关系：;三. 三极管的特性曲线（共发射极接法）; (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;四. 三极管的主要参数; 2.极间反向电流; 3.极限参数; （3）反向击穿电压