二极管和晶体管54469.pptxVIP

第9章 二极管和晶体管第12章 直流稳压电源9.1半导体的导电特性 物质按导电能力划分：导体、半导体、绝缘体。 半导体的导电性能： 价电子参与导电、 掺杂增强导电能力、 热敏特性、光敏特性。 一、本征半导体 1. 什么是本征半导体　 是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。2. 本征半导体的导电特性 在绝对零度时，不导电。 温度（或光照）? → 价电子获得能量： 本征激发产生自由电子和空穴对。 自由电子和空穴均参与导电， 统称为载流子。 温度? →载流子的浓度? →导电能力? 。 自由电子释放能量跳回共价键 —— 复合。 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。 (1) 掺入五价的杂质元素 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 称这种杂质半导体为 N 型半导体。 (2) 掺入三价的杂质元素 自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。 空穴为多数载流子。自由电子为少数载流子。 称这种杂质半导体为 P 型半导体。－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋空间电荷 杂质半导体的示意表示法 N 型半导体 P 型半导体 －－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－＋＋＋＋＋＋三、PN 结1. PN 结的形成扩散运动 扩散运动： 多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。 －－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋内电场PN 结 多数载流子的扩散运动继续进行，使 PN 结加 宽，内电场增强。 内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。 内电场越强，少数载流子的运动越易于进行。－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋＋－－－＋＋＋－－－＋＋漂移运动 漂移运动： 少数载流子在内电场作用下的运动。 漂移运动使 PN 结变薄，内电场削弱。 内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动， 而不利于少数载流子的漂移运动。－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋－－－－－－＋＋＋＋＋＋－－＋＋内电场 多数载流子的扩散运动与少数载流子的漂移运 动达到动态平衡 —— 平衡的 PN 结。ＰN I外电场 R ＰN外电场 R 正向导通 2. PN 结的特性(1) 正向偏置 (2) 反向偏置 主要特性： 单向导电性。 反向截止 I≈0 ＰN 阳极 阴极 9.2二极管一、普通二极管 1. 基本结构 (1) 按结构分类 点接触型、面接触型。(2) 按材料分类 硅管、锗管。 (3) 按用途不同分类 普通管、整流管、开关管等。 几种二极管外观图小功率二极管大功率二极管 发光二极管I/mA UBR OIR UDU/V 二、伏安特性 (1) 实际特性锗管 硅管 死区电压 Uth ： 硅管 0.5 V 锗管 0.1 V 正向 特性 死区 导通压降 UD ： 硅管 0.6 ~ 0.7V 锗管 0.2 ~ 0.3V 反向 特性 I I OOU U (3) 理想特性 (2) 近似特性UD3. 主要参数 (1) 额定正向平均电流（最大整流电流）IF (2) 正向压降 UF (3) 最高反向工作电压 UR 一般规定为反向击穿电压的 1/2 或 1/3。 (4) 最大反向电流 IRm 晶体二极管的应用DAAYBDBR –12V 【例1】 下图中，已知VA=3V， VB=0V， DA 、DB为锗管，求输出端Y的电位，并说明每个二极管的作用。 解： DA优先导通，则3VVY=3–0.3=2.7V2.7V DA导通后，DB因反偏而截止，起隔离作用，DA起钳位作用，将Y端的电位钳制在+2.7V。0V ui / VIRR6uDuR3D2?0?? t uiuoE3Vuo / V30? t –6uD / V0? t –3–9 【例2】下图是二极管限幅电路，D为理想二极管， E= 3V ，ui = 6 sin? t V，试画出 uo及uD的波形 。2?解：?ui3V时，D导通， uD= 0 ， uO=3Vui?3V时，D截止， IR = 0 ， uO= ui uD = uO–3VR R E D E D *二、光电二极管（光敏二极管） 作用：将光信号转化为电信号。 反向电流随光照强度的增加而上升。*三、发光二极管 作用：将电信号转化为光信号。 发光的颜色取决于制造材料。 光电二极管电路 发