光生伏特器件.pptxVIP

利用半导体PN结光生伏特效应制成的器件称 为光生伏特器件，也称结型光电器件。 ;结型光电器件与光电导器件的区别：;一、光生伏特器件的基本工作原理;一、光生伏特器件的基本工作原理;一、光生伏特器件的基本工作原理;一、光生伏特器件的基本工作原理;一、光生伏特器件的基本工作原理;一、光生伏特器件的基本工作原理;三、硅光电二极管; 1、硅光电二极管的工作原理; 1、硅光电二极管的工作原理; 2、硅光电二极管的电流方程; 2、硅光电二极管的电流方程; 波长 的光辐射作用于光电二极管时，定义其电流灵敏度为入射到光敏面上辐射量的变化（例如通量变化dΦ）引起电流变化dI与辐射量变化之比; 用不同波长的光照射光电二极管时，电流灵敏度与波长的关系曲线称为光谱响应。; 光电二极管的时间响应（频率响应）主要由载流子的渡越时间和RC时间常数决定。; 影响光电二极管时间响应的主要因素是扩散时间，为了减少扩散时间，如何扩展p-n结的结区？; 3、光电二极管的特性参数; 1、PIN光电二极管; 1、PIN光电二极管; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）; 雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切的关系。碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子—空穴对数目。由实验确定，电离率与电场强度E可以近似的写成以下关系 ; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）; 2、雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode）;二、硅光电池;结区面积 大 小 光电特性 非线性 线性 偏置状态 零偏压 反偏压 内建电场 弱 强 结区厚度 薄 厚 结电容 大 小 频率特性 较弱 较好;二、硅光电池;二、硅光电池;二、硅光电池;二、硅光电池;二、硅光电池;二、硅光电池;二、硅光电池;（2）光照特性 ; 短路电流，指外接负载相对于光电池内阻而言是很小的。光电池在不同照度下，其内阻也不同，因而应选取适当的外接负载近似地满足“短路”条件。下图表示硒光电池在不同负载电阻时的光照特性。从图中可以看出，负载电阻RL越小，光电流与强度的线性关系越好，且线性范围越宽。;20; 光电池作为测量、计数、接收元件时常用调制光输入。光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频率变化的关系。由于光电池PN结面积较大，极间电容大，故频率特性较差。图示为光电池的频率响应曲线。硅光电池具有较高的频率响应;而硒光电池则较差。; 光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的关系。开路电压与短路电流均随温度而变化，它将关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移，影响到测量或控制精度等主要指标，因此，当光电池作为测量元件时，最好能保持温度恒定，或采取温度补偿措施。;四、硅光电三极管（光电晶体管）; 1、光电三极管的结构和工作原理; 1、光电三极管的结构和工作原理; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性; 2、光电三极管的基本特性;59; 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算; 1、硅光电二极管（三极管）变换电路参数计算;（3）反向偏置电路的计算;（3）反向偏置电路的计算;（3）反向偏置电路的计算;作业题