晶体生长方式.pptxVIP

生长方式和速度？;4-3-1粗糙界面的生长;因此，液体中的原子可以在整个界面上连续沉积，促使界面便连续、均匀地垂直生长。;原子尺度光滑界面其单个原子与晶面的结合较弱，容易脱离界面，液相中的原子要在完整晶面上直接堆砌很困难。由于缺少现成的台阶作为接纳新原子的角落，堆砌上去的原子也很不稳定，极易脱落或弹回。因此不可能像粗糙界面那样借助于连续生长机制进行生长。 ;粗糙界面的连续长大速度为（Turnbull） 式中μ1是连续长大系数。;生长过程：大珠小珠落玉盘 生长方式： 突击队员 生长形态： 楼 梯; 层生长理论 （Kossel 1927）晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列；在长满一层面网后，再开始长第二层面网；晶面（最外面的面网）是平行向外推移而生长的。 ;二维形核特点 二维形核的热力学能障较高； 由于界面的突变性质，其动力学能障比较大，生长比较困难。 因此过程需要较大的动力学过冷来驱动，生长速度也比连续生长低。 定量：界面生长速度R与动力学过冷度ΔTK的关系？; 由于二维晶核各生长表面在长大过程中始终保持平整，最后形成的晶体是以许多小平面为生长表面的多面体。 粗糙的外表面 这种晶体棱角分明,称为多面体晶体，其生长方式称为小平面生长。 以粗糙界面长大形成表面光滑的晶体则称为非多面体晶体。 ;4-3-3 非完整界面的生长 ――从缺陷处生长 利用晶体缺陷 实际结晶时，晶体生长表面上往往难以避免因原子错排而造成缺陷，例如螺型位错与孪晶。 这些缺陷为晶体生长(原子堆砌)提供现成的台阶，从而避免了二维晶核生长的必要性。 如铸铁中的石墨和铝合金中的硅，就是利用晶体本身缺陷实现生长的典型例子。?; 螺旋位错生长机制(a)螺旋位错及生长台阶 (b)螺旋线的形成 ;由于台阶在生长过程中不会消失，所以生长可以一圈接一圈地连续进行，其生长所需的动力学过冷度比二维形核小得多，生长速率也较大。 生长速率R与动力学过冷度ΔTK之间为???物线关系，即 式中的动力学系数 μ3≈10-2～10-4 cm／(s，K)。 ;旋转孪晶和反射孪晶的面缺陷提供的台阶，也不会在晶体生长过程中消失。 旋转孪晶对片状石墨的生长有重要作用。 石墨晶体具有以六角形晶格为基面的层状结构，基面之间的结合较弱。 在结晶过程中原子排列层错使上下层之间旋转产生一定的角度，如图所示。 在旋转边界周围提供若干生长位置，使石墨晶体沿着侧面〈100〉方向很快长大成为片状。; 由反射孪晶的两个(l11)面构成的凹角也是可供晶体生长的台阶源, 原子可以直接向凹角沟槽的根部堆砌，当生长沿着孪晶面横向进行时，凹角不会消失，从而保证了连续生长。 这种生长机制对Al－Si合金中Si的结晶有重要作用。 ;（1）二维晶核机制：台阶在界面铺满后即消失，要进一步长大仍须 再产生二维晶核；(间断式生长)（2）螺旋位错机制：这种螺旋位错台阶在生长过程中不会消失；（3）孪晶面机制：长大过程中沟槽可保持下去，长大不断地进行。;对于依赖缺陷生长，请给出形象的比喻 生长过程：绕树三匝，鹊鸟可依 曹操短歌行诗句:绕树三匝,何枝可依.” 生长方式： ？？ 生长形态： ？？;1、垂直生长 2、二维形核生长 3、螺旋位错生长;立方晶体开始时以(100)晶面(左侧图)为外表面生长，由于(100)面比(111)面生长得更快，它将会变成以(111)面为外表面生长(a)。杂质往往会改变特定面的生长特性，使同一种晶体结构呈现出不同的生长形态。如果(110)面生长得最慢，将会形成菱形十二面体(b)。由于低指数面一般都是生长最慢的面，因此，它们决定着晶体的生长特性。由最小生长速率所确定的生长模式与没有生长的平衡模式并不相同，后者是以保持总界面能最小为原则的。;晶核长大后宏观形貌;美丽、实用的晶体;带有彩虹光泽的美丽铋晶体;水晶体