半导体工艺（第8章）刻蚀.pptVIP

典型反应气体 目前生产上经常用CF3与Cl2混合进行等离子体刻蚀； Cl2有较好的选择性； 有时还会加入少量氧以提高刻蚀速率； 氮化硅的干法刻蚀 Si3N4的干法刻蚀方法和SiO2一样，只不过Si-N键的键结强度介于Si-O键和Si-Si之间； 如果用CF4或其他含氟的气体来进行刻蚀，则选择性较差； 以CF3为例， 对SiO2与Si的刻蚀选择性在10以上，但是对Si3N4与Si的刻蚀选择性仅在3~5之间，对Si3N4与SiO2的选择性仅在2~4之间。故近期改用NF3的等离子体进行刻蚀，结果比较理想； 多晶硅的刻蚀 多晶硅的刻蚀比Si3N4和SiO2要复杂得多； 多晶硅栅极本身由两层不同材料组成（多晶硅和金属硅化物），单一等离子体对其刻蚀速率不一致，所以，必须分两步走，以便对某一材质进行刻蚀； 首先对金属硅化物的刻蚀，氟原子和氯原子都可以和各种过渡金属反应生成具有挥发性的化合物，刻蚀气体有CF4、 SF6、 Cl2、及HCl等； 生产挥发性WF4、 WCl4等； 硅的刻蚀： 氟原子对多晶硅有刻蚀，但这种刻蚀是各向同性的，而多晶硅的刻蚀必须是各向异性的，所以，氟原子不适合多晶硅的刻蚀； 也即，CF4及SF6都不适合多晶硅的刻蚀； 只有对硅刻蚀呈现出各向异性的氯原子可以作为合适的刻蚀气体； 主要有Cl2及HCl、还有SiCl4也可以。 铝和铝合金的刻蚀 铝刻蚀 氟化物气体不适合铝的刻蚀； 形成的化合物AlF3的挥发性很低； 目前大都采用氯化物，如SiCl4 、CCl4等气体与氯气混合来进行RIE刻蚀； Al+3Cl AlCl3 注意： 由于空气中存在着大量的氧和水，对铝容易生成30~50埃的Al2O3； 这一层Al2O3无法用Cl2排除； 因此，铝的初期刻蚀也要分两个步骤进行：先把Al2O3去除掉，然后再刻蚀铝。 学习情景四 常州信息职业技术学院 学习情景五：图形加工学习子情景二：刻蚀 基本概念 定义：用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。 VLSI对图形转移的要求 保真度 选择比 均匀性 清洁度 保真度：腐蚀所得的图形与抗蚀膜图形之间横向尺寸差异要尽可能小或为零。 dm dm df df df dm 保真度： A=|df－dm| / 2h 1A 0 选择比： 理想的刻蚀特性是：既要把该刻蚀的彻底、干净地刻蚀掉，又要把不该刻蚀的原样保留。这就是刻蚀的选择性； 尽管不能完全做到，但在刻蚀液的选择上尽量保证； 同一种刻蚀液对不同的材料刻蚀速度是不同的，通常用刻蚀速率来描写。比如：SiO2/Si的选择性从20～40。高选择性意味着下表层很少或没有被刻蚀； 均匀性 平均厚度h，厚度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最厚处h*(1+ ?),最薄处h*(1－ ?) 平均刻蚀速率V，速度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最大速度V*(1+ ?),最小速度V*(1－ ? ) 刻蚀时间差 TM－Tm=[ h*(1+ ?) / V*(1- ?) ] －[h*(1－ ?) / V*(1+ ?)] 粗细线条兼顾，折中 洁净度 防止沾污； 刻蚀方法 刻蚀工艺分为两大类：湿法和干法刻蚀 光刻胶 被刻蚀材料 (a) 有光刻胶图形的衬底 (b) 刻蚀后的衬底 光刻胶 被保护层 湿法腐蚀 概念： 湿法腐蚀就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀。腐蚀过程与一般化学反应相同； 常见介质层的湿化学腐蚀机理： SiO2腐蚀 腐蚀液：氢氟酸和氟化氨的混合液 原理：溶液中的F-与二氧化硅中的Si4+络合成六氟硅酸根络离子（SiF6)-2，它与H+结合而生成可溶性的六氟硅酸。 反应原理： SiO2+6HF H2[SiF6]+2H2O 氟化氨作用： 加入氟化氨以后，使溶液中F+浓度增大，氢氟酸的电离平衡将向生成HF方向移动，这既降低了溶液中H+浓度，使氢氟酸与二氧化硅的反应速度减弱； 所以氟化氨起缓冲的作用； 氮化硅的腐蚀 氢氟酸对氮化硅的腐蚀速度比二氧化硅慢得多，而磷酸则容易腐蚀氮化硅； 所以常用热磷酸作为氮化硅的腐蚀剂； 化学反应原理： Si3N4+H3PO4 Si(H2PO4)4+NH3 注： 光刻胶不耐热磷酸腐蚀，必须采用二氧化硅作掩蔽膜的间接光刻方法； 先在氮化硅上用热分解方式淀积一层二氧化硅膜，光刻时先刻出二氧化硅窗口后，再放入180℃的磷酸中继续刻蚀窗口内的氮化硅； 铝的腐蚀 原理： 用磷酸与铝反应生成可溶与水的酸式磷酸铝，达到腐蚀目的； 反应式为： 2Al+6H3PO4