Q_JS 001-2019深紫外LED外延片.pdf

ICS Q / J S 马鞍山杰生半导体有限公司企业标准 Q/JS 001-2019 深紫外LED 外延片 DUV LED Epitaxial Wafer 2019-07-01 发布 2019-07-01 实施 马鞍山杰生半导体有限公司 发布 1 前 言 本标准依据GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 本标准由马鞍山杰生半导体有限公司起草。 本标准主要起草人：郑远志、黄小辉、姚禹、孙春娟。 2 深紫外LED 外延片 1. 范围 本标准规定了深紫外 LED 外延片（以下简称“外延片”）要求、规则、试验方法及标 志、包装、运输和储存等要求。 本标准适用于本分司生产的深紫外LED 外延片。 2. 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版 本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T191-2008 包装储运图示标志 GB/T2828.1-2003 计数抽样检验程序第1 部分：按接收质量限（AQL ）检索的逐批检验 抽样计划 GB/T 4326-2006 非本征半导体单品霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第 1 部分：总则（IEC 60749- 1:2002,IDT） GB 6388-1986 运输包装收发货标志 GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测方法 GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片 GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 GB/T 14264-1993 半导体材料术语 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 SJ/T 11395-2009 半导体照明术语 SJ/T 11396-2009 氮化镓基发光二极管蓝宝石衬底片 SJ/T 11399 发光二极管芯片测试方法 3. 术语、定义 在GB/T 14264-1993、SJ/T 11395-2009 标准中使用的术语、定义以及下列术语、定义适 用于本标准。 4. 要求 1.1. 规格 外延片直径主要分为Φ50.8mm,Φ100mm规格，或由供需双方商定。 1.2. 外延片结构 深紫外 LED 外延片包括 N 型掺杂的 AlGaN/P 型掺杂的 AlGaN/P 型掺杂的 GaN/AlN/AlInGaN/InGaN/GaN 等半导体结构。 1 4.3 标记 X X XX X XXXX X XX 外延片号 外延炉次 外延生长日期