场效应管放大电路16332.pptxVIP

4.3 场效应管放大电路;(1)自偏压电路 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在VGS=0 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:VGS = -?D R。电容 C对 R起旁 路作用，称为源极旁路 电容。; (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 如图所示，静态时加在 FET上的栅源电压为 : ;4.3.2 应用小信号模型法分析FET放大电路 如图所示的共源电路。图中rd通常在几 百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多， 故可以认为其开路。; (1)中频电压增益 ; (2)输入电阻 Ri = rgs ||[Rg3+( Rg1+Rg2 )] 通常 rgs ? [Rg3+(Rg1|| Rg2 )] 故 Ri ≈ Rg3+ (Rg1|| Rg2 ) (3)输出电阻 R0≈ Rd; 典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri 和输出 电阻R0。 解：下图中的中频小信号等效电路如图所示。;(1)中频电压增益 由上图知: ; 可见，当 gm(R||RL)?1时，Avm≈1,共漏极 电路属电压跟随器。和射极输出器的Av 相比