电池片全工序基础工艺培训资料.docx

电池片全工序基础工艺培训资料.docx

  1. 1、本文档共26页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
培训资料 前道 一 制绒工艺 制绒目的 消除表面硅片有机物和金属杂质。 去处硅片表面机械损伤层。 在硅片表面形成表面组织,增加太阳光的吸收减少反射。 工艺流程 来料,开盒,检查,装片,称重,配液加液,制绒,甩干,制绒后称重,绒面检查,流出。 单晶制绒 1 号机 槽号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 作用 超声 溢流 制绒槽 超声 喷淋 溢流 成份 柠檬酸 / 双氧水+ 氨水 纯水 NaOH+IPA+Na SiO 3 纯水 配液 6 瓶 /25L+25L 5 瓶+3 瓶+3 瓶 补加 液 100-150g+1L 无 温度 90/60 60 80 常温 时间 300/600 200/500 1200s 300 300 400 2 号机 槽号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 作用 酸腐制绒槽 酸洗 溢流 酸洗 溢流 溢流 喷淋 成份 纯水 HCL 纯水 HF 纯水 配液 16L 12L 补加 液 时间 440 420 400 400 200 400 200 200 300 甩干 喷水(S) 喷氮(S) 延时(S) 压力 MPa 低速/高速(r/m) 温度 30 320 10 0.4~0.7 200/300 128 基本原理 1#超声 去除有机物和表面机械损伤层。 目前采用柠檬酸超声,和双氧水与氨水混合超声。 3#4#5#6#制绒 利用 NaOH 溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子 ((100)面与(111)面单晶硅腐蚀速率之比)=10 时,可以得到整齐均匀的金字塔形的 角锥体组成的绒面。绒面具有受光面积大,反射率低的特点。可以提高单晶硅太阳能电池 的短路电流,从而提高太阳能电池的光转换效率。 化学反应方程式:Si+2NaOH+H2O=Nasio3+2H2↑ 影响因素 1.温度 温度过高,首先就是 IPA 不好控制,温度一高,IPA 的挥发很快,气泡印就会随之出现, 这样就大大减少了 PN 结的有效面积,反应加剧,还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加。 可控程度:调节机器的设置,可以很好的调节温度。 2.时间 金字塔随时间的变化:金字塔逐渐冒出来;表面上基本被小金字塔覆盖,少数开始成长; 金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到比较低的情况;金字塔向外 扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等,反射率略有下降。 可控程度:调节设备参数,可以精确的调节时间。 3.IPA 1.协助氢气的释放。2.减弱 NaOH 溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。纯 NaOH 溶液 在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大,各个晶面被 腐蚀而消融,IPA 明显减弱 NaOH 的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向异性,有利于金字塔的 成形。乙醇含量过高,碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱,各向异性因子又趋于 1。 可控程度:根据首次配液的含量,及每次大约消耗的量,来补充一定量的液体,控制精度 不高。 4.NaOH 形成金字塔绒面。NaOH 浓度越高,金字塔体积越小,反应初期,金字塔成核密度近似不 受 NaOH 浓度影响,碱溶液的腐蚀性随 NaOH 浓度变化比较显著,浓度高的 NaOH 溶液与 硅反映的速度加快,再反应一段时间后,金字塔体积更大。NaOH 浓度超过一定界限时, 各向异性因子变小,绒面会越来越差,类似于抛光。 可控程度:与 IPA 类似,控制精度不高。 5.Na2 SiO 3 SI 和 NaOH 反应生产的 Na 2 SiO 3 和加入的 Na 2 SiO 3 能起到缓冲剂的作用,使反应不至于很 剧烈,变的平缓。Na 2 SiO 3 使反应有了更多的起点,生长出的金字塔更均匀,更小一点 Na2 SiO 3 多的时候要及时的排掉,Na 2 SiO 3 导热性差,会影响反应,溶液的粘稠度也增加,容 易形成水纹、花蓝印和表面斑点。 可控程度:很难控制。 4#酸洗 HCL 去除硅片表面的金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与多种金属离子形成可溶与水的络合物。 6#酸洗 HF 去除硅片表面氧化层,SiO 2 +6HF=H 2 [siF 6 ]+2H 2 O。 控制点 1.减薄量 定义:硅片制绒前后的前后重量差。 控制范围 单晶 125,硅片厚度在 200±25 微米以上,减薄量在 0.5±0.2g;硅片厚度在 200±25 微米 以上,减薄量在 0.4±0.2g。 单晶 156,首篮减薄量在 0.7±0.2g;以后减薄量在 0.6±0.2g。 2.绒面 判断标准:成核密度高,大小适当,均匀。 控制范围:单晶:金字塔尺寸 3~10um。 3.外观 无缺口,斑点,裂纹,切割线,划痕,凹坑,有无白斑,赃污。 异常处理

文档评论(0)

kongbaipan + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档