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高等半导体物理 第二章 一维半导体体系 (1) 第一节 一维半导体体系的电子态和布里渊区2(一) 半导体超晶格 ( 一维半导体体系 ) ? 半导体超晶格由两种半导体薄层交叠排列而成 , 具有一维周 期性。两种半导体薄层的厚度为 b1 和 b2, 都小于电子的德布 罗依波长。超晶格的周期长度 L = b1 + b2 可人为控制。 ? 超晶格中的两种半导体材料可以是不同成份的半导体材料, 如 GaAs/AlGaAs 和 Ge/Si, 这称为成份超晶格; 也可以是基质相同、掺杂不同的半导体材料, 如 n-Si/p-Si, 这称为掺杂超晶格。 ? 以 GaAs/AlGaAs 成份超晶格为例。 由于 GaAs 与 AlGaAs 能带结构不同, 故形成如右图所示具有一维 (Z方向) 周期性的能带结构. 导带有宽度为 b1 的势垒和宽度为 b2 势阱。 ? 在超晶格结构中, 沿 XY 平面, 电子仍然在大尺寸的 GaAs 和 AlGaAs 二维晶格中运动, 是准自由的, 其能带和布里渊区的 结构不变， 和大块晶体相同。但在 Z 方向, 超晶格周期性势 场叠加在 GaAs 和AlGaAs晶格势场上, 使得Z方向的电子能量 状态发生变化. 下面就Z方向的电子能量状态作进一步讨论。(二)一维半导体体系的电子态 一, 一维单量子阱中的电子态 在AlGaAs/GaAs/AlGaAs 结构中, 导带在 GaAs 层形成势阱。若 GaAs层的厚度小于电子的德布罗意波长, 则形成(单)量子阱, 其 中的电子能量量子化, 电子波函数局域在(单)量子阱的范围.二,一维双量子阱中的电子态4 ? 在AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs中, 如中间三层的厚度 小于电子的德布罗意波长, 则形成双量子阱. 其中的电子能量 量子化; ? 电子波函数局域在该双量子阱 的范围, 为局域态; ? 由于隧道效应, 电子可以穿过 中间的 AlGaAs 薄势垒层。三,半导体超晶格的电子态 对于 AlGaAs/GaAs 超晶格, 由于层厚都小于电子的德布罗波 长, 电子可以通过隧道效应穿透势垒层, 实现在超晶格中的共 有化运动. 其电子态为扩展态, 可用波矢 k 表示;(三)一维半导体体系的布里渊区5 一, 二聚化 ( 派尔斯形变 ) [ 这将在后面的章节中祥细讨论 ] ? 晶格常数扩大为双倍, a? 2 a（见图）; ? 布里渊区缩小为原来的 1/2 ( 布里渊区对折 ) ; ? 原能带一分为二 . 二, 三聚化 ? 晶格常数扩大为三倍, a? 3 a（见图）; ? 布里渊区缩小为原来的 1/3 ( 布里渊区三折 ) ; ? 原能带一分为三 . 三, 超晶格 ( 以 AlGaAs / GaAs 超晶格为例 ) ? 半导体材料 AlGaAs 和 GaAs 的晶格常数为 a （a’ 和 a”）; ? AlGaAs / GaAs 超晶格的晶格常数为 L; (两个晶格常数: a 和 L) ? AlGaAs / GaAs 超晶格布里渊区的线度为 AlGaAs 和 GaAs 布里 渊区线度的 a / L ; *? 因为 AlGaAs/GaAs 超晶格的周期 L 远大于 AlGaAs 或 GaAs 6 的晶格周期 a,因此超晶格的布里渊区远小于晶格的布里渊 区. 在动量空间中, 大的晶格布里渊区被分割成一个个小的超 晶格布里渊区， 称为微布里渊区． ? 在动量空间中, 外面的微布里渊区可等效 地折回到中心的第一微布里渊区。因此, 大的晶格布里渊区可折叠成小的超晶格 微布里渊区。这被称为超晶格布里渊区 的折叠效应。 ? 超晶格的电子能带远窄于晶格的电子能带。 宽的晶格电子能 带被分割成 L / a 个窄的超晶格电子能带。 ? 能带带边的 E – k 曲线为二次曲线, 且超晶格能带较窄, 故超 晶格能带显示出较强的二次曲线性。 * 第二节 有机聚合物半导体 ( 一维碳基半导体 ) 7 序 言 近三十余年有机半导体研究大事记： ? 1974年日本科学家白川英树 ( M. Shirakawa ) 等人首次聚合成聚乙炔薄膜，为绝缘体。 1977年在美国宾州大学，白川英树应邀与美国科学家 M. MacDirmid 和A. J. Heeger 合作，通过掺杂使聚乙炔薄膜的电导率提高了十二个量级，达到1