半导体三极管4.pptxVIP

§1.3 半导体三极管C集电极CPNBNPB基极PNEE发射极1.3.1 基本结构、类型和符号一、结构集电极NPN型PNP型基极发射极C集电极NPBN基极E发射极三极管在制造时必须满足以下条件：1、发射区掺杂浓度最大，它的作用是发射载流子。2、基区必须做得很薄（微米级）掺杂浓度最小，它的作用是传输和控制载流子。3、集电区要做得体积最大，它的作用是收集载流子。集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高C集电极NPBN基极E发射极集电结发射结二、类型有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。CCICICBBIBIBIEIEEE三、符号NPN型三极管PNP型三极管ECECBBuouououiuiuiCBE1.3.2 三极管的连接方式一、共发射极接法二、共集电极接法三、共基极接法共集电极共基极共发射极1.3.3 电流放大原理三极管正常放大外加电压必须满足：1．发射结外加正向电压，即P区较N区为正。2．集电结外加反向电压，即P区较N区为负。正常放大时，NPN管集电极电位最高，基极电位次之，射极电位最低。 即 UC ?UB ?UE ；PNP管则反之，射极电位最高，基极电位次之，集电极电位最低。即 UE ?UB ?UC .例题；测得工作在放大区的四个三极管，各电极对地电位如题表2-1-1，判断是硅管还是锗管，是PNP管还是NPN管，并标出管脚e b c 填入表中C基区空穴向发射区的扩散可忽略。NBPIBENEIE电流放大原理发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。UCC进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。RBUBBIC=ICE+ICBO?ICECICEICBONBPIBENEIE一、载流子传输过程 发射、复合、收集集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。UCCRBUBBIC=ICE+ICBO ?ICECICEICBONBECPIBEIBNRBEIEEB二、各极电流关系IB=IBE-ICBO?IBE三、电流放大系数ICE与IBE之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。三极管的放大作用有三个含义： 1）电流放大；2）电压放大；3）功率放大（功率放大不是指能量放大）mA?AV1.3.4 特性曲线ICIBUCCVRBUCEUBEUBB 实验线路UCE =0.5VUCE=0VIB(?A)UCE ?1BE(V)0.40.8一、输入特性工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69二、输出特性当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。IC(mA )此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 ICCIBRCBUCEEUBERBUBCUBB例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？说明电源的习惯连接方式，B、C共用电源当USB =-2V时：IC最大饱和电流：IB=0 ， IC=0Q位于截止区 ICCIBRCBUCEEUBERBUCCUSB例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？USB =2V时：IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。ICCIBRCBUCEEUBERBUSCUSB例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管工作于哪个区？USB =5V时:Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。1. 电流放大倍数和 ?1.3.5 主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共